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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국표준과학연구원 Korea Research Institute of Standards and Science |
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연구책임자 | 이주인 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-09 |
주관부처 | 산업자원부 |
사업 관리 기관 | 산업자원부 Korea Institute for Industrial Economics and Trade |
등록번호 | TRKO201200005079 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
GaAs를 기반으로 하는 화합물 반도체는 Si대비 우수한 전기, 광학적 특성으로 인해 고속소자 및 광전소자로 활용되고 있다. 특히 광전소자의 경우 가시광에서 적외선범위의 발광소자로서 LED(발광 다이오드)와 LD(레이저 다이오드)등이 주로 사용되고 있다. GaAs 기판을 사용하는 레이저 다이오드는 주로 광 pick-up에 사용되는 780nm edge emitter와 근거리 광통신에 사용되는 850nm VCSEL(표면 발광 레이저 다이오드)이 주로 시용되는데, 특히 780nm 레이저 다이오드가 많이 사용되고 있다. 레이저 다이오드의
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