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신기능 반도체 소재 개발
Development of New Functional Semiconductor Materials 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 민석기
참여연구자 서상희 , 김무성 , 김현수 , 김은규 , 김용태 , 김용 , 조훈영 , 임성욱 , 박용주 , 한철원 , 엄경숙 , 김성일 , 김춘근 , 송원준 , 문성옥 , 김진상 , 김원정 , 최형주 , 이종근 , 윤석범 , 고석현
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1992-05
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200005785
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 단결정/에피성장.VGF/VB.DM 전기로.MOCVD.MBE.GaAs.MCT.Single Crystal/Epi Grouwth.VGF/VB.DM Furnace.MOCVD.MBE.GaAS.HgCdTe.

초록 ▼

미래정보사회의 개인화, 지능화 요구에 꼭 필요한 화합물 반도체 소재 기술을 확보하기 위해 본 연구사업을 수행하였다. GaAs 단결정 성장기술에서는 자체 제작한 VGF/VB 장치에 자기장을 인가할 수 있도록 한 AM-VGF/VB 결정 성장기술을 개발하였다. 또한 CCD 카메라를 이용하여 Seeding 과정의 관찰을 통한 정밀한 온도제어를 통해 고품위 GaAs 단결정을 성장시켰다. GaAs : In, Cr 단결정은 결함밀도 6000개/$cm^2$ 미만, 반절연 특성을 나타내었다. MOCVD 및 MBE에 의한 헤테로

Abstract ▼

The contents and the scopes of this research were as follows.For the high quality crystal growth of bulk GaAs, the 2" AM-VGF/VB axial magnetic field applied-VGF/VB) system was constructed by installing a solenoid type electromagnet with the VGF/VB grower which has been made. The optimum growth condi

목차 Contents

  • 제1장 서 론...39
  • 제1절 연구개발의 목적과 범위...39
  • 제2절 연구사업 수행의 배경...40
  • 제3절 보고서의 구성...41
  • 제2장 VGF 방법에 의한 $GaAs$ 단결정 성장...43
  • 제1절 결정 성장 장치...43
  • 제2절 DM 전기로 내의 온도 분포...57
  • 제3절 결정성장 및 특성 평가...74
  • 제3장 고품위 단결정 성장원리...106
  • 제1절 반절연 $GaAs$...106
  • 제2절 저결함 $GaAs$...114
  • 제4장 $(NH_4)_2S_X$ 처리에 의한 $GaAs$ 표면의 passivation...129
  • 제1절 서론...129
  • 제2절 전기적 특성...130
  • 제3절 광학적 특성...134
  • 제5장 종합적 결론 및 건의사항...140
  • 제1절 종합적 결론...140
  • 제2절 건의사항...143
  • 참고문헌...144
  • 표지...149
  • 요약문...153
  • 제1장 서론...181
  • 제2장 MOCVD 에 의한 헤테로 에피성장...184
  • 제1절 MOCVD 장치...184
  • 제2절 양자우물 구조의 성장 및 특성평가...196
  • 1. 양자우물 구조의 성장...196
  • 2. 양자우물 구조의 PL 측정 및 분석...197
  • 제3절 Double barrier quantum well 의 성장과 특성평가...205
  • 제4절 델타-도핑한 양자우물의 특성연구...208
  • 제5절 SCH-Quantum Well 레이저 다이오드의 제작(Seperate Confinment Heterostructure)...213
  • 1. 반도체 레이저의 동작 이론...213
  • 가. 반도체 레이저의 개요...213
  • 나. 반도체 레이저의 동작원리...215
  • 다. 유도 방출의 필요 조건...221
  • 라. 발진 개시 조건...224
  • 2. SCH 구조의 양자우물 반도체 레이저의 특징...225
  • 가. 양자우물 레이저 디이오드의 이론적 배경...225
  • 나. 양자우물 레이저의 기초...226
  • 다. 양자 우물 레이저의 온도 의존성...228
  • 3. 레이저 다이오드의 제작공정...234
  • 가. 레이저 다이오드의 구조와 active층의 분석...234
  • 나. 반도체 레이저의 제작 공정...243
  • 4. 제작된 레이저 다이오드의 특성 평가...266
  • 가. 반도체 레이저의 제특성의 측정 방법...266
  • 나. 제작된 레이저 다이오드의 특성 평가...266
  • 제3장 Molecular Beam Epitaxy를 이용한 $GaAs$ layer의 성장과 특성연구...290
  • 제1절 Molecular Meam Epitaxy를 이용한 undoped 및 Si-doped $GaAs$ layer의 성장과 특성분석...290
  • 1. MBE성장과 전기광학적 특성연구...291
  • 가. MBE 성장...291
  • 나. 특성분석장치...292
  • 2. undoped및 Si-doped GaAs 성장과 전기광학적 특성평가...294
  • 제2절 저온 MBE방법으로 성장된 undoped 및 Si-doped GaAs layer의 특성연구...304
  • 1. 저온 $GaAs$성장법...305
  • 2. 저온에서 성장된 $GaAs$의 물성평가...309
  • 제3절 MBE GaAs 표면에서 Point defect의 Micro 라만 분광학...317
  • 1. MBE에 의해 성장된 $GaAs$ 표면에서의 micro Raman 측정...319
  • 2. Oval defect 와 whisker defect Raman spectra...321
  • 제4장 InGaAs/GaAs strained 에피층 성장에 관한 기초 연구...330
  • 제1절 서론...330
  • 제2절 Strained 층을 이용한 이종접합 구조...332
  • 제3절 Strained InGaAs 재료의 임계 두께의 변화...334
  • 제4절 고품질 InGaAs 에피 성장...337
  • 제5절 Strained 층의 열적 안정성...338
  • 제6절 $In_XGal-_XAs$ 의 여러가지 재료적인 특성들...339
  • 제7절 스트레인 층 구조를 이용한 여러가지 소자들...350
  • 제5장 결론 및 건의사항...358
  • 참고문헌...361
  • 표지...369
  • 요약문...373
  • 제1장 서론...387
  • 제1절 연구개발의 필요성...387
  • 제2절 연구개발 동향...388
  • 제3절 연구개발 목표...389
  • 제4절 1,2차년도 주요 연구결과...391
  • 가. 1차년도 주요 연구내용과 결과...391
  • 나. 2차년도 주요 연구내용과 결과...392
  • 제2장 CdTe/GaAs 박막 단결정의 제조...393
  • 제1절 수직 반응관에서 성장된 CdTe/GaAs 박막...393
  • 가. 서론...393
  • 나. 실험방법...394
  • 다. 결과 및 고찰...395
  • 제2절 ZnTe 완충층에 의한 CdTe 박막의 표면형상 개선...401
  • 가. 서론...401
  • 나. 실험방법...402
  • 다. 결과 및 고찰...405
  • 제3장 CdTe/GaAs 박막 단결정의 재료특성분석...412
  • 제1절 DCD(Double Crystal Diffractometry)분석...412
  • 가. 수직 반응관에서 성장된 CdTe/GaAs 박막...412
  • 나. 수평 반응관에서 성장된 CdTe/ZnTe/GaAs 박막...413
  • 제2절 X-TEM에 의한 분석...415
  • 가. 수직 반응관에서 성장된 CdTe/GaAs 박막...415
  • 나. 수평 반응관에서 성장된 CdTe/GaAs와 CdTe/ZnTe/GaAs 박막...418
  • 제3절 수직 반응관에서 성장된 CdTe/GaAs박막과 수평 반응관에서 성장된 CdTe/ZnTe/GaAs 박막의 비교...426
  • 제4장 결론...427
  • 참고문헌...429

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참고문헌 (25)

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