초록 ▼

반도체 고집적화 미세가공 기술이 거의 3년마다 4배씩 증가하여 국내에서도 해상도 0.4㎛ 수준의 64M DRAM 소자가 개발되었다. 이러한 기술은 계속 발전하여 현재의 광학기술로 부터 엑시머레이저 및 X-선에 의한 단파장 가공기술로 주문형 반도체의 제작 등에 활용될 것이다. 최근 반도체 소자의 미세가공에 사용되는 포토에지스트는 대개가 화학증폭형으로서, 포지형이고, 약 1㎛ 정도의 두께로 스핀도포되어 이용된다. 이렇게 사용되는 레지스트는 더 나은 해상도를 달성할 수 있음에도 불구하고 레지스트의 박막화 기술의 한계때문에 일반적으로 0.

반도체 고집적화 미세가공 기술이 거의 3년마다 4배씩 증가하여 국내에서도 해상도 0.4㎛ 수준의 64M DRAM 소자가 개발되었다. 이러한 기술은 계속 발전하여 현재의 광학기술로 부터 엑시머레이저 및 X-선에 의한 단파장 가공기술로 주문형 반도체의 제작 등에 활용될 것이다. 최근 반도체 소자의 미세가공에 사용되는 포토에지스트는 대개가 화학증폭형으로서, 포지형이고, 약 1㎛ 정도의 두께로 스핀도포되어 이용된다. 이렇게 사용되는 레지스트는 더 나은 해상도를 달성할 수 있음에도 불구하고 레지스트의 박막화 기술의 한계때문에 일반적으로 0.1㎛ 정도에 머무르고 있다. 그러나 분자박막 수준의 Langmuir-Blodgett(LB) 막은 박막의 특성상 수 nm의 단분자층으로부터 수백 nm 수준의 박막에 이르기까지 분자박막이 균일하고 일정한 특성을 갖고 있으므로, 0.1㎛이하의 고해상도를 얻는데 사용될 수 있는 가장 이상적인 반도체 미세가공용 레지스트가 될 수 있다. 본 연구는 LB 분자막의 전자선 레지스트로의 활용에 관한 것으로서, 국내에서 처음으로 분자의 모델링으로부터 합성 및 정제를 거텨 최종적으로 전자선 패턴 형성 실험을 수행하였다. 이 연구는 3단계에 걸쳐서, 1차년도에 분자의 모델링과 기존 레지스트에 관한 연구, 2차년도에는 초박막 제조용 청정실의 설치 및 LB분자막 제조와 특성연구, 그리고 최종적으로 다층 LB분자막에 대한 전자선 미세 패턴 형성 실험이 수행되었다. 연구결과 얻은 0.3㎛의 해상도는 기설정된 목표치에는 못미치나, 공정조건의 최적화로 0.1㎛의 해상도 달성이 가능할 것으로 생각된다.

목차 Contents

• 표지...1
• 제1장. 서론...11
• 제1절. 전자선 미세가공 기술...11
• 제2절. 전자선 레지스트의 특성...14
• 제3절. Langmuir-Bloodgett 분자막 레지스트...16
• 제4절. 연구의 목적과 범위...21
• 제2장. 실험...24
• 제1절. 시약및 기기...24
• 제2절. 무진실...27
• 제3절. LB 분자막용 물질 합성...29
• 제4절. LB막의 제조...35
• 제5절. LB막의 특성 연구...38
• 제6절. 미세패턴 형성 실험...39
• 제3장. 결과 및 고찰...40
• 제1절. LB분자막용 단량체의 합성...40
• 제2절. LB막의 네조 및 특성...44
• 제3절. 전자선 미세패턴...54
• 제4장. 결론...57
• 참고문헌...58