초록 ▼

글로우 방전에 의하여 비정질 실리콘을 제작하여 빛에 의한 암 및 광전기 전도도의 변화를 (cir)1 시료의 증착조건 (cir)2 빛을 조사시킬 때의 시료 온도 (cir)3 도핑(doping)을 변수로 측정하였다. 또한 쇼트키, Pin 형 다이오드 특성에 장시간의 조사가 미치는 영향을 측정했다. 광 및 암 전도도의 변화는 온도 증가에 따라 가속되고 도핑된 시료에서는 도핑양의 증가에 따라 빨라진다. 또한 이완(relaxation) 여기 에너지는 Fermi 준위가 밴드 모서리 쪽으로 이동됨에 따라 감소된다. 비정질 다이오드에서의 실험 결

글로우 방전에 의하여 비정질 실리콘을 제작하여 빛에 의한 암 및 광전기 전도도의 변화를 (cir)1 시료의 증착조건 (cir)2 빛을 조사시킬 때의 시료 온도 (cir)3 도핑(doping)을 변수로 측정하였다. 또한 쇼트키, Pin 형 다이오드 특성에 장시간의 조사가 미치는 영향을 측정했다. 광 및 암 전도도의 변화는 온도 증가에 따라 가속되고 도핑된 시료에서는 도핑양의 증가에 따라 빨라진다. 또한 이완(relaxation) 여기 에너지는 Fermi 준위가 밴드 모서리 쪽으로 이동됨에 따라 감소된다. 비정질 다이오드에서의 실험 결과는 빛에 의한 변화가 전자와 양공의 재결합에 의하여 생긴 두가지 종류의 결함 상태(trapping 포함) 에 기인됨을 보여준다.

Abstract ▼

The light induced changes for undoped and doped hydrogenated amorphous silicon deposited by glow discharge decomposition have been studied. The dark- and photoconductivity changes are accelerated as the temperature during the ilumination is elevated. The activation energy of thermal relaxation time

The light induced changes for undoped and doped hydrogenated amorphous silicon deposited by glow discharge decomposition have been studied. The dark- and photoconductivity changes are accelerated as the temperature during the ilumination is elevated. The activation energy of thermal relaxation time is decreased as the concentration of phosphorus(or boron) is increased. The light exposure on the Schottky diode gives the increase of diode quality factor and the decrease of forward current density, however, the current injection give no change. In pin diodes the J-V characteristics change by light exposure and by current injection. The increase of photocurrents in the range below 1.5 eV has been observed after band gap light exposure. This increase is reduced partially by IR(0.5-1.5eV) irradiation. The data are consistent with the idea that the recombination between electron and hole creates two type of light induced centers.

목차 Contents

• 1. 연구제목...6
• 2. 연구의 목적, 내용 및 방법...6
• 2.1 연구목적...6
• 2.2. 연구의 내용 및 방법...6
• 2.2.1 시료제작...6
• 2.2.2 측정...6
• 3. 주요 연구 내용 및 결과...6
• 3.1 암및 광전기 전도도의 변화...6
• 3.2 다이오드 특성 변화...10