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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경희대학교 Kyung Hee University |
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연구책임자 | 장진 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1984-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 경희대학교 Kyung Hee University |
등록번호 | TRKO200200011370 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
글로우 방전에 의하여 비정질 실리콘을 제작하여 빛에 의한 암 및 광전기 전도도의 변화를 (cir)1 시료의 증착조건 (cir)2 빛을 조사시킬 때의 시료 온도 (cir)3 도핑(doping)을 변수로 측정하였다. 또한 쇼트키, Pin 형 다이오드 특성에 장시간의 조사가 미치는 영향을 측정했다. 광 및 암 전도도의 변화는 온도 증가에 따라 가속되고 도핑된 시료에서는 도핑양의 증가에 따라 빨라진다. 또한 이완(relaxation) 여기 에너지는 Fermi 준위가 밴드 모서리 쪽으로 이동됨에 따라 감소된다. 비정질 다이오드에서의 실험 결
The light induced changes for undoped and doped hydrogenated amorphous silicon deposited by glow discharge decomposition have been studied. The dark- and photoconductivity changes are accelerated as the temperature during the ilumination is elevated. The activation energy of thermal relaxation time
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