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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 오재응 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한양대학교 HanYang University |
등록번호 | TRKO200200014227 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | HEMT.Microwave Device.Low-noise Amplifier.Molicular Beam Epitaxy.HEMT.Microwave Device.Low - noise Amplifier.Molicular Beam Epitaxy. |
차세대 정보통신용 초고속 전자 소자로서 유망한 InGaAs/InAlAs HEMT 의 성공적인 제작을 위한 구성 재료에 대한 최적결정성장 확립 및 제작 그리고 초고주파 특성에 대한 연구를 수행하였다. 특히 buffer 층이나 MD 층에 사용되는 InAlAs 에 대한 결정 성장 조건에 따른 전기적/광학적 특성에 대한 자세한 연구를 하였으며, miscibility gap에 기인한 alloy clustering 이 재료 특성 및 소자 특성에 크게 영향을 끼치는 것을 알았다. 이러한 문제점은 (InAs)n(AlAs)n UTSL 을 사용하
The growh conditions of strained InGaAs HEMT grown on InP substrate are optimized to obtain the high performance HEMT devices operating at high frequencies. First, the alloy clustering behavior of InAlAs are studied by deep level transient spectroscopy, Hall mobility, photoluminescence measurments
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