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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 오혜근 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1994-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
연구관리전문기관 | 한양대학교 HanYang University |
등록번호 | TRKO200200015168 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 분해늄.노광.위상변이Mask.Mask.ULSI.Resolution Limit.Lithography.Phase shift Mask.Mask.ULSI. |
64MB DRAM급 이상의 초 고급적 회로를 만들기 위해서는 최소 선폭이 0.35㎛이하이어야하고, 촛점심도는 최소한 1.0㎛ 정도이어야 한다. 이를 위한 여러가지 노광장비중 X-ray 나 electron-beam 등을 이용한 장비는 최소 선폭을 무난히 만들어 줄 수 있으나 양산에 적용하기에는 아직도 많은 해결되어야 할 문제점들이 산재해 있다. 반면에 빛을 이용한 stepper를 사용하면서 최근에 개발된 위상변이 매스크나 변형조명법등을 사용하면 충분히 양산에 적용할 수 있는 최소 선폭 0.35㎛ 이하도 얻을 수 있을 것이다.
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