초록 ▼

반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching)과 이온선 에칭(Ion Beam Etching)과 같은 드라이 에칭 기술은 Si표면에 손상층을 만드는 것으로 밝혀졌다. 이 손상은 열처리하여 제거할 수 있으며 또 다른 방법으로 Ksufman이온원(Ion Source)으로부터 낮은 에너지의 수소를 주입함으로서 부동화 시킬 수 있음을 보인 바 있다. 이 연구는 이온빔 에칭에 의한 손상에 수소를 주입한 효과에 초점을 맞춤으로서 수소 부동화 접근을 더 연구한다. 실제로 가벼운 수소 이온이 무거운 알곤 이온보다 더 심한 손상을 야기하는

반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching)과 이온선 에칭(Ion Beam Etching)과 같은 드라이 에칭 기술은 Si표면에 손상층을 만드는 것으로 밝혀졌다. 이 손상은 열처리하여 제거할 수 있으며 또 다른 방법으로 Ksufman이온원(Ion Source)으로부터 낮은 에너지의 수소를 주입함으로서 부동화 시킬 수 있음을 보인 바 있다. 이 연구는 이온빔 에칭에 의한 손상에 수소를 주입한 효과에 초점을 맞춤으로서 수소 부동화 접근을 더 연구한다. 실제로 가벼운 수소 이온이 무거운 알곤 이온보다 더 심한 손상을 야기하는 것으로 밝혀졌다. 그러나, 낮은 에너지의 수소를 주입하여 Ar에 의한 것이나 수소 주입에 의한 것이나 모든 손상은 부동화 될 수 있음을 보인다.

Abstract ▼

Reactive-ion etching and ion-beam etching have been shown to cause a damaged layer at silicon surfaces. It has been demonstrated that this damage can be passivated using a room-temperature low-energy hydrogen ion implantation from a Kaufman ion source. This study further explores the hydrogen passiv

Reactive-ion etching and ion-beam etching have been shown to cause a damaged layer at silicon surfaces. It has been demonstrated that this damage can be passivated using a room-temperature low-energy hydrogen ion implantation from a Kaufman ion source. This study further explores the hydrogen passivation approach by focusing on the effect of hydrogen implantation on damage caused by argon ion beam etching. The lighter hydrogen ions are actually shown to cause more extensive damage than the heavier argon ions. However, by using low-energy hydorgen implants all damage, that present from the Ar and that generated during the hydrogen implant, can be passivated.

목차 Contents

• 1. 서 론...6
• 2. 실 험...8
• 3. 결 과...9
• 4. 결 론...11
• 5. 인용 문헌...12