[논문]Dry Etching of Al2O3 Thin Films in O2/BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma

Yang, Xeng; Woo, Jong-Chang; Um, Doo-Seung; Kim, Chang-Il

doi:10.4313/teem.2010.11.5.202

[국내논문] Dry Etching of Al2O3 Thin Films in O2/BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma 원문보기

Transactions on electrical and electronic materials, v.11 no.5, 2010년, pp.202 - 205

Yang, Xeng (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) , Woo, Jong-Chang (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) , Um, Doo-Seung (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) , Kim, Chang-Il (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University)

Abstract ▼ AI-Helper

In this study, the etch properties of $Al_2O_3$ thin films deposited by atomic layer deposition were investigated as a function of the $O_2$ content in $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma. The experiments were performed by comparing the etch rates and selectivity of $Al_2O_3$ over the hard mask materials as functions of the input plasma parameters, such as the gas mixing ratio, DC-bias voltage, ratio-frequency (RF) power and process pressure. The highest obtained etch rate was 477 nm/min at an RF power of 700 W, $O_2$ to $BCl_3$/Ar gas ratio of 15%, DC-bias voltage of -100 V and process pressure of 15 mTorr. The deposition occurred on the surfaces when the amount of $O_2$ added to the $BCl_3$/Ar gas was too high at a low DC-bias voltage or high process pressure. X-ray photoelectron spectroscopy was used to investigate the chemical reactions on the etched surface.

Keyword

AI 본문요약
AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

제안 방법

In this study, we investigated the etch characteristics of ALDdeposited Al₂O₃ thin films as functions of the amount of O₂ in the BCl₃/Ar plasma, RF power, DC-bias voltage and process pressure using an inductively coupled plasma system. As the RF power and DC-bias voltage increased, the etch rates of Al₂O₃ and SiO₂ increased due to the increasing density of the radicals and kinetic energy of the ions.

대상 데이터

thin films were etched by an ICP system. The substrates used were Al₂O₃ thin films deposited on a Si wafer using ALD. The thickness of the Al₂O₃ films was approximately 50 nm.

참고문헌 (13)

A. A. Demkov, O. Sharia, and J. K. Lee, Microelectron. Eng. 84, 2032 (2007) [DOI: 10.1016/j.mee.2007.04.081].

상세보기
V. A. Gritsenko, K. A. Nasyrov, Yu. N. Novikov, A. L. Aseev, S. Y. Yoon, J. W. Lee, E. H. Lee, and C. W. Kim, Solid State Electron 47, 1651 (2003) [DOI: 10.1016/S0038-1101(03)00174-6].

상세보기
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) (2007, December 8). ITRS 2007 Edition. Retrieved from http://www.itrs.net/links/2007itrs/home2007.htm.
G. Molas, M. Bocquet, E. Vianello, L. Perniola, H. Grampeix, J. P. Colonna, L. Masarotto, F. Martin, P. Brianceau, M. Gely, C. Bongiorno, S. Lombardo, G. Pananakakis, G. Ghibaudo, and B. De Salvo, Microelectron. Eng. 86, 1796 (2009) [DOI: 10.1016/j.mee.2009.03.083].

상세보기
C. H. Lee, S. H. Hur, Y. C. Shin, J. H. Choi, D. G. Park, and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 152908 (2005) [DOI: 10.1063/1.1897431].

상세보기
C. H. Lee, K. I. Choi, M. K. Cho, Y. H. Song, K. C. Park, and K. Kim, IEDM Tech. Dig. 613 (2003).
S. I. Kim and K. H. Kwon, Trans. Electr. Electron. Mater. 10, 1

원문보기 상세보기
S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era, 2nd ed. (Lattice Press, Sunset Beach, 2002).
T. Kitagawa, K. Nakamura, K. Osari, K. Takahashi, K. Ono, M. Oosawa, S. Hasaka, and M. Inoue, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L297(2006) [DOI: 10.1143/JJAP.45.L297].

상세보기
S. M. Koo, D. P. Kim, K. T. Kim, and C. I. Kim, Mater. Sci. Eng. B 118, 201 (2005) [DOI: 10.1016/j.mseb.2004.12.029].

상세보기
H. J. Choi and B. T. Lee, J. Electron. Mater. 32, 1 (2003) [DOI:

상세보기
G. K. Lee, J. H. Moon, and B. T. Lee, Semicon. Sci. Technol. 21, 971 (2006) [DOI: 10.1088/0268-1242/21/7/024].

상세보기
D. P. Kim, J. W. Yeo, and C. I. Kim, Thin Solid Films 459, 122 (2004) [DOI: 10.1016/j.tsf.2003.12.113].

상세보기

저자의 다른 논문 :

LOADING...

활용도 분석정보

상세보기

다운로드

내보내기

활용도 Top5 논문

해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증