초록 ▼

부전도 영역에서의 홀 효과가 존재하고 측정가능한가의 논란이 지난 십여년간 계속 되어 왔다. 최근 일련의 반도체에서 홀 효과가 측정되고 상응하는 이론이 독립적으로 개발 되어 왔다. 본 연구에서는 반도체가 아닌 입상 알루미늄계의 부전도 영역에서 홀 효과 측정을 시도해 봄으로써 측정 가능 여부와 기존의 이론에 따른 비교, 분석에 목적이 있었다. 실험결과 부도체 영역에서 홀 효과 측정이 가능하고 홀 이동도 (Hall mobiligy)의 온도에 따른 변화는 전기전도도의 그것과 같은 형태를 가지며 다만 그 정도가 작다는 것이

부전도 영역에서의 홀 효과가 존재하고 측정가능한가의 논란이 지난 십여년간 계속 되어 왔다. 최근 일련의 반도체에서 홀 효과가 측정되고 상응하는 이론이 독립적으로 개발 되어 왔다. 본 연구에서는 반도체가 아닌 입상 알루미늄계의 부전도 영역에서 홀 효과 측정을 시도해 봄으로써 측정 가능 여부와 기존의 이론에 따른 비교, 분석에 목적이 있었다. 실험결과 부도체 영역에서 홀 효과 측정이 가능하고 홀 이동도 (Hall mobiligy)의 온도에 따른 변화는 전기전도도의 그것과 같은 형태를 가지며 다만 그 정도가 작다는 것이 발견되었다. 또한 홀 상수는 도체-부도체 천이 부근에서 온도에 따른 변화가 작아지는데 이는 기존의 국소화 이론 (localization theory)과 대체로 일치한다는 것이 밝혀졌다.

Abstract ▼

It has been argued the existence of the Hall effect in the insulating regime. Theories about the Hall effect in the hopping regime have been developed. Recently the variable range hopping Hall mobilities were reported in doped silicon and CdSe semiconduct ors. In this experiment the Hall mobility o

It has been argued the existence of the Hall effect in the insulating regime. Theories about the Hall effect in the hopping regime have been developed. Recently the variable range hopping Hall mobilities were reported in doped silicon and CdSe semiconduct ors. In this experiment the Hall mobility of granular aluminum instead of doped semiconductor was measured and compared to the corresponding theories available. The result shows that the temperature dependence of the Hall mobility is similar to that of the conductivity, with somewhat slower slope. Temperature dependence of the Hall coefficient tends to decrease near at the metal-insulator transition which is qualitatively consistent with the localization theory.

목차 Contents

• 1. 서 론...7
• 2. 실험 법...9
• 2.1 시료제작...9
• 2.2 온도측정 및 조절...9
• 2.3 홀기전력측정...10
• 2.4 저항측정...11
• 3. 결과 및 고찰...12
• 3.1 전기전도도...12
• 3.2 홀이동도...14
• 4. 결 론...18
• 인용문헌...19