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NTIS 바로가기주관연구기관 | 아주대학교 Ajou University |
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연구책임자 | 신희균 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1990-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 아주대학교 Ajou University |
등록번호 | TRKO200200015635 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 부전도 영역.홀 효과.홀가동성.홀 상수.전기전도도.Insulating regime.Hall effect.Hall mobility.Hall coefficient. |
부전도 영역에서의 홀 효과가 존재하고 측정가능한가의 논란이 지난 십여년간 계속 되어 왔다. 최근 일련의 반도체에서 홀 효과가 측정되고 상응하는 이론이 독립적으로 개발 되어 왔다. 본 연구에서는 반도체가 아닌 입상 알루미늄계의 부전도 영역에서 홀 효과 측정을 시도해 봄으로써 측정 가능 여부와 기존의 이론에 따른 비교, 분석에 목적이 있었다. 실험결과 부도체 영역에서 홀 효과 측정이 가능하고 홀 이동도 (Hall mobiligy)의 온도에 따른 변화는 전기전도도의 그것과 같은 형태를 가지며 다만 그 정도가 작다는 것이
It has been argued the existence of the Hall effect in the insulating regime. Theories about the Hall effect in the hopping regime have been developed. Recently the variable range hopping Hall mobilities were reported in doped silicon and CdSe semiconduct ors. In this experiment the Hall mobility o
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