초록 ▼

초고집적 메모리칩 제조시 불순물 제거를 위하여 WAFER를 세정한 후 건조시키는 장비로서 1 MEGA, 4 MEGA DRAM 정도의 집적도를 갖는 제품은 현재 사용되고 있는 SPIN DRYER (원심분리방식) 로서도 건조가 되고 있으나 차세대 DEVICE 로 명칭되는 16 MEGA, 64 MEGA DRAM은 집적도는 현재보다 더 높아지고 비례적으로 PATTERN 과 PATTERN 간의 선폭은 더욱 더 좁아지며 contact hole. trench등 웨이퍼 표면의 불 균일한 구조로 이에 trap된 새정액의 건조는 더욱 어려워지고 있다

초고집적 메모리칩 제조시 불순물 제거를 위하여 WAFER를 세정한 후 건조시키는 장비로서 1 MEGA, 4 MEGA DRAM 정도의 집적도를 갖는 제품은 현재 사용되고 있는 SPIN DRYER (원심분리방식) 로서도 건조가 되고 있으나 차세대 DEVICE 로 명칭되는 16 MEGA, 64 MEGA DRAM은 집적도는 현재보다 더 높아지고 비례적으로 PATTERN 과 PATTERN 간의 선폭은 더욱 더 좁아지며 contact hole. trench등 웨이퍼 표면의 불 균일한 구조로 이에 trap된 새정액의 건조는 더욱 어려워지고 있다. 이로 인하여 현재 사용되고 있는 SPIN DRYER로서는 세정후 건조의 한계점이 나타나고 있기 때문에 차세대 제품인 16 MEGA DRAM 이상의 DEVICE 에 적용 가능한 유기용제를 이용한 DRYER 를 국산화 개발하는 것을 목표로한다
웨이퍼의 세정공정은 반도체 공정에서 매우 자주 행하여 지는 공정이며 또한 이 세정공정 후 반드시 웨이퍼에 잔존하는 DI water 의 제거는 필수라 하겠다. 지금 까지 가장 많이 사용되어 왔던 웨이퍼 건조 방법은 Spin Dryer 방법이었다.
그러나 이 방법은 웨이퍼 표면이 평탄 할 경우 어느 정도 쉽게 이 물질을 제거할 수 있으나 16 Mega. 64 Mega 와 같은 차세대 반도체는 기존의 반도체 보다 웨이퍼 표면의 굴곡이 몹시 심하여 Spin Dryer 방법에 의한 건조 방법의 사용에 한계가 있음은 이미 잘 알려진 사실이다.
특히 16 Mega, 64 Mega 등의 차세대 반도체는 Pattern 과 Pattern 간의 선폭은 더욱 좁아지고 contact hole. trench 구조 등 웨이퍼 표면의 심한 굴곡 구조로 이 곳에 trap 된 세정액의 건조는 극히 어려워 기존의 spin dryer 방법을 대체할 수 있는 건조방범의 개발을 매우 시급한 과제로 대두되었다.
여러 연구에 의하면 높은 친수성, 고휘 발성, 그리고 낮은 표면장력 특성을 갖는 알코올은 웨이퍼 위에 남아있는 수분과 trench 와 같은 깊은 굴곡구조 안으로 쉽게 확산되어 물과 반음 한 후 증발되면서 잔류 물질과 함께 웨이퍼 표면에서부터 증발되게 된 다.
이에 본 연구를 통하여 IPA를 사용한 웨이퍼 건조장치를 개발하여 차서1대 반도체 및 초정밀 부품의 생산성 향상과 품질개선에 일익을 담당하여 국제 경쟁력 향상에 기여를 하리라 사료된다.