초록 ▼

대면적 기판 fusion을 위하여 새로운 개념의 수직형 기판 fusion 전기로 및 graphite fixture를 개발하였으며 이 장치를 이용하여 2×2 ㎠ 면적의 GaAs와 InP 기판의 fusion 기술을 완성하였다. Fusion 된 기판의 단면의 우수한 성질을 투과형 전자현미경 및 photoluminescence 측정을 이용하여 확인하였다. 이러한 기술을 바탕으로 compliant substrate를 제작하여 그 위에 InGaAs 에피층을 성장함으로서 그 가능성을 검사하여 본 결과 compliant substrate 위에는

대면적 기판 fusion을 위하여 새로운 개념의 수직형 기판 fusion 전기로 및 graphite fixture를 개발하였으며 이 장치를 이용하여 2×2 ㎠ 면적의 GaAs와 InP 기판의 fusion 기술을 완성하였다. Fusion 된 기판의 단면의 우수한 성질을 투과형 전자현미경 및 photoluminescence 측정을 이용하여 확인하였다. 이러한 기술을 바탕으로 compliant substrate를 제작하여 그 위에 InGaAs 에피층을 성장함으로서 그 가능성을 검사하여 본 결과 compliant substrate 위에는 좋은 표면형상의 에피층이 성장되는 것을 확인하여 compliant substrate 의 기본 기술을 습득하였다. 한편 국소 지역의 fusion 성질을 관측하기 위하여 micro-PL 장비를 제작하였으며 이를 이용하여 fusion 된 기판의 광특성을 측정하였다.

Abstract ▼

Vertical type wafer fusion furnace system including graphite fixture for large area wafer fusion has been developed. Using the vertical type fusion system, large area fusion (2×2 ㎠) technology has been developed successfully. Exceptional high quality of fused interface has been confirmed by high res

Vertical type wafer fusion furnace system including graphite fixture for large area wafer fusion has been developed. Using the vertical type fusion system, large area fusion (2×2 ㎠) technology has been developed successfully. Exceptional high quality of fused interface has been confirmed by high resolution transmission microscope study. Based on the study, we tried to fabricate a compliant substrate. Successful fabrication of the compliant substrate was confirmed by good surface morphology after the growth of InGaAs epilayer on the compliant substrate. By contrast, a haze surface was resulted for InGaAs epilayer on conventional substrate. To study a localized optical information of fused surface, we set up a micro-PL system. Initial micro-PL information of the fused surface was successfully measured.

목차 Contents

• 제1장 서론...7
• 제2장 이론...9
• 제1절 기판퓨젼개요...9
• 제2절 접합 메커니즘...10
• 제3절 계면 상태 및 compliant 기판의 원리...11
• 제3장 세부실험방법...13
• 제1절 실험방법...13
• 제2절 시편제작준비...14
• 제3절 측정장비...15
• 1. Photoluminescence (PL)...15
• 2. Double Crystal X-ray Diffraction (DCXD)...16
• 3. Transmission Electron Microscope (TEM)...16
• 제4장 실험결과...18
• 제1절 대면적 GaAs, InP fusion...18
• 제2절 compliant substrate...24
• 제3절 micro-PL 장치의 setup 및 측정...25
• 제5장 결론...27
• 참고문헌...28