초록 ▼

Ⅰ. 제 목
물성평가 기술개발 연구
Ⅱ. 연구개발의 목적 및 필요성
본 연구의 목적은 우리나라에서 수요 많은 각종 신소재의 특성평가 능력을 확충함으로써 대외지원을 통해 신소재의 개발과 실용화를 촉진하는 것이며 나아가 정밀분석과 표준화활동을 통해 국내 소재산업의 국제경쟁력을 확보케 하는데 목적이 있다.
제 2 장 물성측정법 표준화 연구
제2절 실하중방식 로크웰 경도표준기 개발
ㅇ 본 연구의 목적은 실하중 방식의 로크웰 경도표준기를 설계 제작하는 것이다. 경도 분야의 국가표준을 확립하고 다른

Ⅰ. 제 목
물성평가 기술개발 연구
Ⅱ. 연구개발의 목적 및 필요성
본 연구의 목적은 우리나라에서 수요 많은 각종 신소재의 특성평가 능력을 확충함으로써 대외지원을 통해 신소재의 개발과 실용화를 촉진하는 것이며 나아가 정밀분석과 표준화활동을 통해 국내 소재산업의 국제경쟁력을 확보케 하는데 목적이 있다.
제 2 장 물성측정법 표준화 연구
제2절 실하중방식 로크웰 경도표준기 개발
ㅇ 본 연구의 목적은 실하중 방식의 로크웰 경도표준기를 설계 제작하는 것이다. 경도 분야의 국가표준을 확립하고 다른 나라의 표준기관과 상호 비교를 하기 위해서는 국제 수준의 정밀도를 갖는 경도 표준기를 확보하여야 한다.
제3절 응력 부식 시험기술 개선
ㅇ EN 측정 기술을 응력 부식 시험에 도입하면 소재의 내응력 부식 저항을 보다 더 정 확하게 평가할 수 있게되며, 본 연구의 목적은 이 평가 기술을 확립하는 데에 있 다.
제4절 고온 비열 측정기술개발
ㅇ 고온 DSC에 의한 비열측정용 시험기를 구축하는 것을 목적으로 한다. 비열 분야는 고체재료의 열물성 평가의 한축으로 열설계, 재료의 품질평가에 중요한 물성평가의 한 요소이다. 항공우주, 원자력, 에너지 산업에서의 응용되는 고온용 초내열합금, 세라믹 재료 등의 평가에 이용되고 있다.
제5절 자기이방성 특성평가기술 개발
ㅇ 자성체의 자기이방성 측정시스템 및 기술개발을 목표로 하고 있으며, 신소재의 자기 이방성의 원인을 규명하고 이 성질을 이용하여 자성소자 (Tunneling Magneto- Resistance Device, Magnetic Random Access Memory)의 제작공정 최적화에 사용 될 수 있다.
제6절 시간분해 마이크로 광물성 측정기술 개발
ㅇ 정보통신의 눈부신 발전으로 인해 이 분야의 반도체 광전소재, 유기 광전물질 및 마이 크로 광소자의 개발이 절실히 요구되며, 이들의 광특성을 측정 및 평가 기술을 개발 연 구하는 것은 매우 중요하다.
제7절 APEC 역내 소재평가기술 RRT를 위한 조사연구
ㅇ 본 연구과제는 APEC과 과기부의 지원 하에 진행되고 있는 APEC 역내 소재평가기관간 네트웍 구성사업의 일환이다. 무역장벽을 낮추기 위하여 시험 평가분야에서는 상호인정 협정을 체결하고 있다. 이를 현실화하기 위한 단계적 작업으로서 소재평가기관간 네트웍 을 구성하여 상호 협력하는 것이 필요하다.
제 3 장 조성분석법 표준화 연구
제2절 물질 표면의 전자적 여기 특성 연구
ㅇ 금속/반도체 표면 또는 박막에서의 전자적 여기의 측정을 통한 표면전자상태 및 구 조특성 평가 기술의 개발이 연구 목적이며 이렇게 측정, 평가된 물질의 전자구조, 특 히 전자적 여기는 이들이 결정하는 전기, 자기, 광특성 등 제반 물성의 평가에 매우 유용하므로 이에 대한 연구기술이 매우 중요하다.
제 4 장 구조해석법 표준화 연구
제2절 XIEES법에 의한 극미세구조분석법 개발
ㅇ 본 사업의 목적은 실험실 진공용 XIEES 장비를 개발하고 분석 기술의 연구하여 분석기기의 국산화에 기여하고, 극미세 구조분석기술을 발전시켜 NT, BT, IT용의 신소재개발에 응용시 키는데 있다.
제3절 박막 표면 및 성장 특성에 대한 이론 연구
ㅇ 반도체 표면에 흡착된 유기분자의 계면구조, 박막 성장시 표면거칠기 등, 나노/박막 소 재 제조 과정에서 나타나는 극미세구조상의 문제점들을 전자구조계산과 semi-empirical atomic potential을 이용한 atomistic simulation을 통해 해결의 가능성을 찾고자 하였 다.
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
제 2 장 물성측정법 표준화 연구
제2절 실하중방식 로크웰 경도표준기 개발
ㅇ 실하중 경도 표준기의 설계 및 제작
제3절 응력 부식 시험기술 개선
ㅇ 응력 부식 시험에서의 electrochemical noise(EN)의 측정 방법 연구
ㅇ EN data의 평가 및 해석 기술 연구
제4절 고온 비열 측정기술개발
ㅇ 고온 DSC 비열측정시스템 구축
ㅇ 비열측정 S/W 개발
ㅇ 고온 DSC의 베이스라인 안정화 및 보정 연구
제5절 자기이방성 특성평가기술 개발
ㅇ Torque 및 자기저항 측정기술개발
ㅇ 다층박막 및 새로운 층상체의 자기이방성 특성연구
제6절 시간분해 마이크로 광물성 측정기술 개발
ㅇ steady state micro PL 측정장치의 구성
ㅇ 반도체 광전재료의 물성평가 연구
ㅇ 분자성 전자소자 및 발광고분자의 광특성 연구
ㅇ 공초점 현미경을 이용한 단일 분자 측정장치 구성
제7절 APEC 역내 소재평가기술 RRT를 위한 조사연구
ㅇ APEC 역내의 소재평기기관 간 네트웍 구축 기반 조성
ㅇ 소재평가기술의 개발 및 표준화 분야의 국제 협력 사업계획을 세우기 위한 RRT 수요 조사 실시.
제 3 장 조성분석법 표준화 연구
제2절 물질 표면의 전자적 여기 특성 연구
ㅇ 금속이 흡착되어 유도되는 반도체표면의 전자구조 및 화학반응성 조사 실험
ㅇ 알려진 금속 또는 반도체 계에서의 전자적 여기에 대한 실험 및 계산
ㅇ 10-100 eV 에너지 전자빔을 이용한 EELS 실험조건, 방법 확립.
제 4 장 구조해석법 표준화 연구
제2절 XIEES법에 의한 극미세구조분석법 개발
ㅇ XIEES 장치의 고니오장비 개발
ㅇ 자동측정이 가능한 구동 소프트웨어 개발
ㅇ 전자포집 검출시스템 개발
제3절 박막 표면 및 성장 특성에 대한 이론 연구
ㅇ 여러 가지 사양의 클러스터 컴퓨터에 대해 병렬 효율성 및 CPU 비교 조사
ㅇ 흡착 분자의 구조 및 에너지 계산, STM 시뮬레이션, 포화 흡착 모델 연구
ㅇ 원소 및 합금에 대한 atomic potential modelling 연구
ㅇ Atomistic simulation에 의한 dot 형성 기구 연구
Ⅳ. 연구개발의 결과
제 2 장 물성측정법 표준화 연구
제2절 실하중방식 로크웰 경도표준기 개발
ㅇ 실하중 방식의 경도표준기 입찰을 위한 설계사양을 결정하였음.
ㅇ 설계사양에 따른 기본설계와 상세 설계를 종료하였음.
ㅇ 경도분야 국외 전문가들의 자문을 받았고 일부 설계 내용을 변경하였음.
ㅇ 현재 제작 중에 있으며 12월 말에 완성될 예정임.
제3절 응력 부식 시험기술 개선
ㅇ 응력 부식 측정 EN 인자들의 민감성 및 적합성 평가
ㅇ 응력 부식의 기구 및 EN 평가 parameter의 상관관계 연구
ㅇ 응력 부식 균열의 생성 및 성장 탐지 방법 연구
제4절 고온 비열 측정기술 개발
ㅇ 고온 비열측정 시스템 구성 및 비열해석 Windows용 S/W작성
ㅇ 고온 DSC 베이스라인 보정프로그램 개발 및 평가
제5절 자기이방성 특성평가기술 개발
ㅇ Torque 측정 및 fitting program 개발; low field data fitting
ㅇ CMR (collosal magneto resistance) 단결정의 torque 측정; No spin canting
ㅇ 자성체 박막의 magnetic anisotropy 측정
ㅇ 다층 자성체 박막의 magnetization과 MR 측정
제6절 시간분해 마이크로 광물성 측정기술 개발
ㅇ UV 여기 steady state micro PL 측정 장치 구성 완료
ㅇ GaN/AlGaN, 헥사고날 GaN 박막 및 InGaAs 양자점 반도체 재료 구조의 분광특성 연구 및 분석
ㅇ 분자성 전자소자의 여기상태 동역학 이해
ㅇ 레이저 현미경 측정장치를 이용한 발광고분자의 전하유입효과 연구
ㅇ 단일분자 측정기술을 이용한 형광체의 광안정성 연구
제7절 APEC 역내 소재평가기술 RRT를 위한 조사연구
ㅇ RRT에 대한 수요를 파악하기 위하여 설문서를 작성하여 조사를 실시하음.
ㅇ 설문조사에에 초청할 전문가들을 상당수 파악하였음.
제 3 장 조성분석법 표준화 연구
제2절 물질 표면의 전자적 여기 특성 연구
ㅇ 알칼리금속/Ge(111)-3x1 계의 산화 반응성 연구
(a) 광전자분광법을 이용한 연구: Li 과 Na
(b) Auger 전자분광법을 이용한 연구: Li, Na 그리고 K
ㅇ 광전자분광법을 이용한 Ba/Si(111)-3x1 계의 산화 반응성 연구
ㅇ EELS를 이용한 전자적 여기 연구 수행
: Ge(111)-c(2x8) 표면 및 Na/Ge(111)-3x1 표면위에서의 표면 전자상태 사이의 전 자적 여기 측정.
제 4 장 구조해석법 표준화 연구
제2절 XIEES법에 의한 극미세구조분석법 개발
ㅇ 에너지를 0.18-40 keV 범위에서 선택할 수 있는 모노크로미터 시스템 개발
ㅇ 전자 검출 시스템 개발
ㅇ channeltron detector를 자동으로 조절하는 구동 소프트웨어를 개발
제3절 박막 표면 및 성장 특성에 대한 이론 연구
ㅇ 가격 대 성능비가 우수한 클러스터 컴퓨터의 구성
ㅇ 아세틸렌의 흡착 구조 (on-top과 end-bridge의 di- 구조)를 이론적으로 규명
ㅇ 원소 (bcc, fcc, diamond) 및 합금에 대한 semi-empirical atomic potential 개발
ㅇ Misfit strain이 존재하는 계의 박막 증착시 dot 형성이 에너지적으로 유리함을 모사
Ⅴ. 연구개발 결과의 활용계획
제 2 장 물성측정법 표준화 연구
ㅇ 표준기가 완성된 후 특성평가 과정을 거쳐 로크웰 및 비커스 경도 국가표준기로 활용할 계획임.
ㅇ 응력 부식 균열 성장 속도 측정 및 시험 서비스에 활용
ㅇ 부식 시험 관련 인력의 교육 및 기술 지원에 활용
ㅇ 고온 비열 측정 기술자문 및 시험 서비스에 활용
ㅇ 수탁연구의 고온 열물성 측정에 활용
ㅇ 연구원 내·외의 자기이방성 시험검사, 기술지원
ㅇ 새로운 자성 나노구조체의 자성 평가
ㅇ 마이크로 광물성 측정 장치의 개발로 차세대 소자 개발에 필수적인 광특성 평가 기반 확보
ㅇ 광전 재료의 광물성 특성 평가결과의 학술적 기여 및 이를 기반으로 한 광소자산업 발전에의 기여
ㅇ 단분자 계측 기술을 이용한 광전소자 물질 광특성 및 생체분자의 실시간 거동 연구
ㅇ 내년도에 한국에서 열릴 네트웍 구축 관련 세미나에서 발표자료로 활용.
ㅇ 네트웍 활동 장기계획의 기초자료로 활용.
ㅇ 수요조사 결과를 기반으로 RRT 실시 계획을 수립하여 집행.
제 3 장 조성분석법 표준화 연구
ㅇ 재료의 전자적 정보를 알아내는 새로운 표면분석법의 하나로 EELS를 활용
ㅇ AES와 광전자분광법, EELS 등 여러 표면분석기술로부터 얻어진 정보의 상보적 결 합을 통한 물성평가능력확충과 이를 이용한 연구 및 대외 물성평가서비스 등에 활용.
제 4 장 구조해석법 표준화 연구
ㅇ 극미세 영역에서의 재료의 국소구조분석기술 보급
ㅇ 구조 분석을 통한 반도체, 금속, 세라믹스, 비정질재료 등의 소자 특성 평가
ㅇ 품질 향상을 위한 분석평가 및 제조공정개발에 활용
ㅇ 대규모 전산 모사에 클러스터 컴퓨터 이용
ㅇ 흡착된 아세틸렌의 kinetics, 탄소에 의한 Si 표면 구조 변형에 대한 연구 기반 제공
ㅇ Quantum dot 형성 조건, 크기, 형상, 분포를 결정하는 요인 분석, 제어 기술 개발
ㅇ 국내 연구기관에 potential DB 및 simulation program 보급, 활용 중

Abstract ▼

Ⅰ. Title
Research for the Reinforcenemtof New Materials Evaluation Techniques
Ⅱ.objectives
Chapter 2 :
Section 2. Developmentof dead-weight type Rockwell standard hardness testing machine
ㅇ The purposeof this project is to develope deadweight type Rockwell standard hardness test

Ⅰ. Title
Research for the Reinforcenemtof New Materials Evaluation Techniques
Ⅱ.objectives
Chapter 2 :
Section 2. Developmentof dead-weight type Rockwell standard hardness testing machine
ㅇ The purposeof this project is to develope deadweight type Rockwell standard hardness testing machine which will be used as a national standard machine. It is necessary to secure the traceabilityof the hardness standard internationally as well as domestically.
Section 3. Improvementof stress corrosion cracking test methods
ㅇ Stress corrosion resistanceof materials can be measured more accurately by the applicationof EN measurement technique. Theobjectiveof this work is to develope this technique that can be utilized for stress corrosion testing.
Section 4. Developmentof measurement technology for specific heat capacity
ㅇ The specific heat capacity is the very important quantities for evaluationof such as nuclear industry, aerospace industry et al. Theobjctivesof this research is the establishmentof high temperature DSC for specific heat capacity measurement.
Section 5. Magnetic Anisotropy Evaluation System
ㅇ This research is to develop a magnetic anisotropy evaluation system and to illuminate theoriginof magnetic anisotropyof new magnetic materials. Futhermore this technique will be useful for theoptimizationof a processof fabricating magnetic devices (TMR, MRAM).
Section 6. Developmentof Time-resolved and micro spectroscopyofoptoelectronic materials
ㅇ The developmentofoptical measurement technique as well as characterization is very important for the realizationof very fastoptical communication technology such as semiconductor,organic molecular and micron sizeoptoelectronic devices and materials.
Section 7. Survey for demandon materials properties RRT in APEC region
ㅇ Figuringout the demandon materials properties RRT to establish long term planof materials properties evaluation related institutes network in APEC region. It will contributeonto the developmentof materials properties evaluation technologies as well as standardizationof it.
Chapter 3 :
Section 2. Studyof the electronic excitation at the surface
ㅇ The research purpose is to establish a method investigating the electronic structureof the solid surfaces by studying electronic excitations. It is important to enhance this surface analytic capability for evaluating various material properties such as electrical, magnetic andoptical properties which are largely determined by the electronic structure.
Chapter 4 :
Section 2. Developmentof ultrafine structural analysis by XIEES
ㅇ The aimof present project is to contribute both to domestic industryof manufacturing the analytical instruments by developmentof XIEES instruments and to apply analytical techniquesof ultrafine local structure to the developmentof new materials which can be employed in the recent NT, BT, IT areas.
Section 3. Theoretical Analysisof thin film surface structure and growth behavior
ㅇ The purposeof the present work is to theoretically analyze evolutionof the electronic and atomic structures in nano/thin film material processes, using first-principles calculations and molecular dynamics simulations basedon semi-empirical atomic potentials.
Ⅲ. Contents and Scope
Chapter 2 :
Section 2. Developmentof dead-weight type Rockwell standard hardness testing machine
ㅇ Designof the deadweight type hardness standard testing machine
ㅇ Manufacturing the deadweight type hardness standard testing machine
ㅇ Characterizationof the performanceof the standard hardness testing machine
Section 3. Improvementof stress corrosion cracking test methods
ㅇ establishmentof the procedures for EN measurements in stress corrosion testing
ㅇ evaluation and interpretationof electrochemical noise data
Section 4. Developmentof measurement technology for specific heat capacity
ㅇ Establishmentof the procedures for specific heat capacity measurements by Differential Scanning Calorimetry
ㅇ Analysisof DSC baseline signal
Section 5. Magnetic Anisotropy Evaluation System
ㅇ Developmentof measurement techniqueof torque and magnetic resistance.
ㅇ Developmentof magnetic characterizationof magnetic multi-layer and new layed structure.
Section 6. Developmentof Time-resolved and micro spectroscopyofoptoelectronic materials
ㅇ Measurement setup for steady state micro PL
ㅇ Optical Studyon the semiconductoroptoelectronic materials
ㅇ Studyon the excited state dynamicsof molecular electronic devices
ㅇ Measurement setup for single molecule spectroscopy by using confocal microscope
Section 7. Survey for demandon materials properties RRT in APEC region
ㅇ A surveyon the demandof materials properties RRT was carriedout among the APEC countries.
ㅇ For additional information regarding capabilitiesof each country and to increase the understandingon the formationof network, field visiting was also carriedout.
Chapter 3 :
Section 2. Studyof the electronic excitation at the surface
ㅇ Studying the electronic strucures and chemical reactivitiesof the metal/semiconductor systems
ㅇ Performing experiments and calculationon electronic excitation at metal and semiconductor surfaces
ㅇ Developmentof the experimental conditions using 10-100 eV electron beam in EELS.
Chapter 4 :
Section 2. Developmentof ultrafine structural analysis by XIEES
ㅇ Developmentof XIEES Goniometer
ㅇ Developmentof automatic control software program
ㅇ Developmentof electron detecting system
Section 3. Theoretical Analysisof thin film surface structure and growth behavior
ㅇ Teston parallel efficiencyof cluster computers and CPUs
ㅇ Single molecular adsorption configurationsof acetylene, STM image simulation, Interaction between adsorbates and model for saturation
ㅇ Semi-empirical atomic potential modeling for elements and alloys
ㅇ Analysisof dot formation mechanism in thin film growth
Ⅳ. Results
Chapter 2 :
Section 2. Developmentof dead-weight type Rockwell standard hardness testing machine
ㅇ Specifications for the deadweight type standard testing machine was developed
ㅇ Designof the machine is finished after several corrections were made and the manufacturing is expected to be finished within this year
Section 3. Improvementof stress corrosion cracking test methods
ㅇ evaluationof sensitivityof EN analysis parameters
ㅇ investigationof SCC mechanism by EN measurement
ㅇ studyon the technique for detecting initiation and growthof stress corrosion cracks
Section 4. Developmentof measurement technology for specific heat capacity
ㅇ Constructionof high temperature DSC as a measurement for specific heat capacity
ㅇ Developmentof data analysis program for Windows system application
Section 5. Magnetic Anisotropy Evaluation System
ㅇ Developmentof torque and fitting program; low field data fitting.
ㅇ Torque measurementof CMR (collosal magneto resistance) single crystal; No spin canting.
ㅇ Measurementof magnetic anisotropyof magnetic film.
ㅇ Measurementof magnetization and MRof multi layered film.
Section 6. Developmentof Time-resolved and micro spectroscopyofoptoelectronic materials
ㅇ Establishmentof steady state micro PL measurement setup by UV excitation
ㅇ Studyon GaN/AlGaN semiconductor multiple quantum well structures, hexagonal GaN film and InGaAs quantum dots
ㅇ Understanding the excited state dynamicsof molecular electronic devices
ㅇ Studyon the hole injection effectof MEH-PPV fluorescence
ㅇ oStudyon the photostabilityof fluorophores by using single molecule spectroscopy
Section 7. Survey for demandon materials properties RRT in APEC region
ㅇ The resultof survey clearly indicates that there is a strong demandon the international cooperation in materials testing and standardization in APEC region.
ㅇ Field surveyon someof the APEC economies showed that they have strong potential for cooperation.
Chapter 3 :
Section 2. Studyof the electronic excitation at the surface
ㅇ Experimental studyofoxidationof alkali-metal-induced Ge(111)-3x1 surface
(a) using synchrotron photoemission spectroscopy: (Li, Na)
(b) using Auger electron spectroscopy: (Li, Na, and K)
ㅇ Experimental studyon Ba/Ge(111)-3x1 surface using synchrotron photoemission spectroscopy
ㅇ Experiments using EELSon electronic excitation at surfaces: surface electronic excitationof Ge(111)-c(2x8) and Na/Ge(111)-3x1
Chapter 4 :
Section 2. Developmentof ultrafine structural analysis by XIEES
ㅇ Developmentof Monochromator system, which can scanover the energy range 0.18-40 keV.
ㅇ Developmentof electron detecting system
ㅇ Developmentof automatic control system for Channeltron detector
Section 3. Theoretical Analysisof thin film surface structure and growth behavior
ㅇ Constructionof cluster computers with good performance/price ratio
ㅇ Acetylene adsorbson Si(001)only inon-top and end-bridge di- geometry
ㅇ Developmentof semi-empirical atomic potentials for elements and alloys
ㅇ oApplicationof atomic simulation to energeticsof dot formation in thin film growth
Ⅴ. Applicationof the Results
Chapter 2 :
ㅇ The machine will be used as a national hardness standard machine after evaluationon the performance
ㅇ EN measurement technique for SCC will be used for providing the stress corrosion testing service, technical training and support for industry
ㅇ To use high temperature DSC as a useful specific heat capacity measurement
ㅇ Testing services(high temperature specific heat capacity) for industries.
ㅇ To providea serviceof evaluating magnetic anisotropy toother groups.
o To evaluate magnetic propertiesof new magnetic nano-structure.
ㅇ Evaluation service foroptical measurementof photonic materials
ㅇ Contribution to the developmentof photonic andoptoelectronic devices and materials
ㅇ Applicationof single molecule spectroscopy to researchon photonic materials and biomolecules
ㅇ The resultof the survey will be discussed at the seminar for the discussion about RRT procedures and the networkingof institutions relating to materials evaluation technology which will be held next year.
Chapter 3 :
ㅇ Future useof EELS asoneof the useful surface analytic techniques
ㅇ Combine EELS andother surface-sensitive techniques such as AES and PES to evaluate material properties and apply to study solid surfaces and to meet the analytical demands fromoutside.
Chapter 4 :
ㅇ Developmentof new technique for surface structure analysis.
ㅇ Measurement service for ultra-fine structure.
ㅇ Transferring ultra-fine structure analysis technique to industry.
ㅇ Utilizationof the cluster computers for large-scale materials simulation
ㅇ Foundation for further researchon the kineticsof the adsorbateson the Si(001) surface and its modification due to carbon atoms
ㅇ oAnalysisof quantum dot formation mechanism and its controlon size, shape, and density.
ㅇ Distributionof potential DB and simulation program to domestic research groups.

목차 Contents

• 제 1장 개 괄
  제 2장 물성측정법 표준화 연구
  제 1절 서 론
  제2절 실하중 방식 로크웰 경도표준기 개발
  1. 서론
  2. 실하중 방식 경도표준기 기본 사양
  3. 실하중 방식 경도 표준기의 기본 설계
  가. 본체 설계
  나. 전자 제어부 설계
  4. 결론
  제3절 응력부식 시험기술 개선
  1. 서론
  2. 실험 및 data 분석 방법
  3. 실험 결과 및 고찰
  가. load-displacement curve
  나. fractography
  다. EN의 측정 결과
  (1). 390 °C에서 tempering한 시편의 EN 측정 결과
  (2). 610 °C에서 tempering한 시편의 EN 측정 결과
  (3). 520 °C에서 tempering한 시편의 EN 측정 결과.
  (4). Statistical parameter를 활용한 EN 측정 결과의 분석.
  4. 요약 및 결론
  제 4 절 고온 비열 측정기술 개발
  1. 서 론
  2. 비열 측정법
  가. 단열법(Adiabatic Calorimeter)
  나. 투하법(Drop Calorimeter)
  다. DSC(Differential Scanning Calorimeter)
  라. 고속 통전가열법(Dynamic method)
  마. 레이저 플레시법(Laser Flash Method)
  바. AC Calorimeter
  3. DSC 원리
  가. 입력보상형 DSC
  나. 열유속형 DSC
  다. DSC에 의한 비열측정
  (1)시료쪽과 기준물질쪽 모두 빈 용기로 하여 홀더 위에 설치하고 온도
  (2) 비열측정을 하려는 물질을 시료용기에 넣고, 기준물질쪽의 용기는 빈용기로 하여 (1)과 같은 조건으로 스캔한다. 온도
  (3) 비열을 알고 있는 물질을 표준물질로서 시료용기에 넣고 기준물질쪽 용기는 빈용기로하여 (1) 및 (2)와 똑같은 조건으로 온도 스캔한다. 표준물질의 열용량을
  (4) 시료쪽의 상태가 (1) - (3)의 경우와 어떻든 다르기 때문에 등온기선 1 - 3은 전부 동일선상에 있다고는 한정 할 수 없다. 여기서 3개의 등온기선이 동일선상에 일치하도록 하면
  (5) 시료용기가 비어 있을 때 승온기선 1을 본 측정의 기선으로서, 승온구간
  (6) 측정에 사용한 시료의 무게를
  4. 비열측정 규격 및 해석법
  제 5 절 자기이방성 특성평가 기술개발
  1. 서 론
  2. 다층박막 및 CMR 층상체의 자기이방성 측정
  2.1 Torque and magnetization
  가 easy axis 방향과 일치하게 된다. 이 때 자기모멘트에 인가된 자기장에 의한 에너지 관계식은 다음과 같다
  2.2 Fitting of torque and magnetization
  2.3 Torque and magnetization of a
  2.4 AMR (anisotropic magnetic resistance)의 두께 의존성
  3. 결 론
  제 6 절 시간분해 마이크로 광물성 측정기술 개발
  1. 분자성 전자소자의 여기상태 동역학 연구
  가. 서 론
  나. 시료준비 및 실험방법
  다. 결과 및 토의
  (1) 어레이 분자 크기에 따른 흡수 스펙트럼의 변화
  (2) 어레이 분자 크기에 따른 형광 및 인광 스펙트럼 변화
  (3) 어레이 분자 크기에 따른 triplet 흡수 스펙트럼의 변화
  라. 결 론
  2. 공초점 현미경 측정장치를 이용한 고분자 필름의 광특성 및 나노 환경 연구
  가. 서 론
  나. 실험 장치 구성
  다. 연구 결과 및 고찰
  (1) Thin MEH-PPV film에서의 charge injection mechanism 이해
  (2) 형광 염료 단분자를 이용한 고분자 필름의 나노환경 연구
  라. 결 론
  3. Micro-PL 측정 장치 구성 및 반도체 광전재료의 시간분해 광물성 연구
  가. 개 요
  나. micro-PL 측정 장치 구성
  다. GaN/AlGaN 다중 양자우물의 시간분해 광물성 연구
  라. 헥사고날 형태의 GaN 박막의 micro PL 측정 연구
  마. InGaAs 양자점의 시분해 광물성 연구
  바. 결 론
  제7절 APEC역내 소재평가기술 RRT를 위한 조사 연구
  1. 서론
  2. 설문조사 결과
  3. 싱가포르 PSB 방문조사
  4. 말레이시아 AMREC 및 SIRIM 방문 조사
  5. 타일랜드 MTEC 방문
  6. 결론
  제 3 장 조성분석법 표준화 연구
  제1절 서 론
  제 2 절 물질 표면의 전자적 여기 특성 연구
  1. 알칼리금속/Ge(111)-3x1 표면의 산화 연구
  가. 광전자분광법을 이용한 연구
  나. Auger 전자분광법을 이용한 연구
  3. Ba/Si(111) 표면의 전자구조 및 산화반응성 연구
  4. EELS를 이용한 표면 전자적 여기 연구
  제4 장 구조해석법 표준화 연구
  제1절 서 론
  제2절 XIEES법에 의한 극미세구조분석법 개발
  1. 서론
  2. XIEES 이론
  3. XIEES 장비 개발
  가. Monochromatization을 위한 에너지 선택 장치의 개발
  나. Optical Table 제작
  다. 정밀한 X-선 에너지를 얻기 위한 구동 mechanism의 개발 및 기기 제작
  라. Detecting 시스템 개발
  마. 진공중 작동하는 XIEES 장치
  4. 장비의 Set up 및 Alignment
  가. Beam path alignment
  나. 실제 X-ray beam 위치의 확인
  다. Drum turn scanning
  라. Bragg angle scanning
  마. Alignment at crystal short & long range
  바. Bragg Alignment and 2d recalculation
  사. Perpendicular movement alignment
  아. Alignment of 　Aiming　 and 　SH Rail rotation　
  5. 실험 및 측정 결과
  가. Drum Turn
  나. Absorption Spectrum of Ni
  6. 결론
  제3절 박막 표면 및 성장 특성에 대한 이론 연구
  1. 클러스터 컴퓨터의