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| 주관연구기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
|---|---|
| 발행국가 | 대한민국 |
| 언어 | 한국어 |
| 발행년월 | 2003-10 |
| 주관부처 | 과학기술부 Ministry of Science and Technology |
| 연구관리전문기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
| 등록번호 | TRKO200400000994 |
| DB 구축일자 | 2013-04-18 |
| DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO200400000994 |
4.5kV급 IGCT 소자 시작품 제작을 위해 simulation을 통한 소자 최적설계, 각각의 단위공정조건 실험을 통한 일괄공정 조건 확보 그리고 최종적으로 4.5kV급 소자 시작품 제작을 목표로 차석 관련기술개발에 중점을 두었다.
구체적으로는 해석적인 방법에 의해 소자 설계를 위한 기본 파라메터를 결정하고, 상용 simulation software를 이용하여 공정 및 소자 특성 simulation을 수행하고, 얻어진 simulation 결과를 바탕으로 단위공정 실험을 수행하여 각 공정별 공정 조건을 확보했으며 최종적으로
The final purpose of our research work was to design and fabricate 4.5kV /l.5kA Integrate Gate-Commutated Thyristor(IGCT) focusing on the novel device and driving unit design and process technology. The specific contents of our research are as follows;
1. Design parameter for device using analyti
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