초록 ▼

본 과제에서는 유기 TFT 기술의 구현을 위한 기반 기술을 확보하는데 주안점을 두었다. 우선 재료적인 측면에서 우수한 특성을 가지는 신규 유기 절연체 등을 개발하였으며, 유기 반도체 재료는 최적의 증착 및 patterning 공정을 개발하였다. 또한 S/D의 겸우 다양한 metal 에 대한 공정 개발을 통하여 우수한 특성과 양산성을 가지는 재료 및 공정을 개발하였다. 이와 아울러 플라스틱 기판 상에 기존 양산 장비를 이용하여 반도체 공정을 진행할 수 있도록 handling 기술을 개발하였으며, 신규 증착 기술 및 최종 array제작

본 과제에서는 유기 TFT 기술의 구현을 위한 기반 기술을 확보하는데 주안점을 두었다. 우선 재료적인 측면에서 우수한 특성을 가지는 신규 유기 절연체 등을 개발하였으며, 유기 반도체 재료는 최적의 증착 및 patterning 공정을 개발하였다. 또한 S/D의 겸우 다양한 metal 에 대한 공정 개발을 통하여 우수한 특성과 양산성을 가지는 재료 및 공정을 개발하였다. 이와 아울러 플라스틱 기판 상에 기존 양산 장비를 이용하여 반도체 공정을 진행할 수 있도록 handling 기술을 개발하였으며, 신규 증착 기술 및 최종 array제작에 필수적인 passivation 공정도 개발하였다.
이러한 기술들을 바탕으로 4인치급 플라스틱 기판 상에 유기 TFT array를 제조하였으며, glass 기판 상에 15인치급 유기 TFT array를 제조하였다. 특히 대형 기판상에 공정을 진행하기 위하여 300mm×400mm 크기의 기판에 대응이 가능한 유기물 증착 설비 및 잉크젯 설비를 setup하였다.
또한 향후 필수적인 용액 공정 기반의 유기 TFT 소자를 제작할 수 있는 필수 기술인 rubber stamping, inkjet printing, 및 용액 기반 유기 재료의 기반 기술을 확보하였다.

Abstract ▼

1) Development of rugged display module
- Panel size: 3-5 inch, Resolution: 100 ppi level
- Color: 4096, Radius of curvature: 20 em
2) Development of organic TFT array process technology
- Organic TFT characteristics: $\Delta$Vth < 20%, $\Delta$mobility < 20%, Lift

1) Development of rugged display module
- Panel size: 3-5 inch, Resolution: 100 ppi level
- Color: 4096, Radius of curvature: 20 em
2) Development of organic TFT array process technology
- Organic TFT characteristics: $\Delta$Vth < 20%, $\Delta$mobility < 20%, Lift time> 2,000시간, mobility > 0.5 $cm^{2}$/Vs, $I_{on}$/$I_{off}$> $10^{6}$
- electrode: layer uniformity < ± 15%, R < 20 ${\mu}{\Omega}$cm
- Insulator thin fim formation: dielectric const. < 4, roughness < 30 rms
- Low-temp. passivation process: process temp. < 180℃, $I_{off}$ < 0.3pA/$\mu$m, mobility> 0.6$cm^{2}$/vs.
- Evaporation technology: uniformity < ±5%,
Patterning technology: uniformity < ±10%
- Organic TFT device fabrication based on printing and inkjet
Organic TFT fabrication based on plastic substrate and
polymeric semiconductor material
Low-temp. dielectric material
Suface treatment technology
Low-temp. passivation process
3) Development of material and process for OLB on plastic substrate
- Low-temp. (150 ℃) ACF
- Low shrinkage TAB film (CTE : 150 1-o}), Pitch 50$\mu$m
4) OLB & PCB for plastic substrate
5) Light for organic display
Development of flexible backlight
- Development of high brightness white LED: B/L brightness> 2000 nit, lifetime> 10,000 hrs

목차 Contents

• 표지 ...1
• 제출문 ...2
• 보고서초록 ...3
• 요약문 ...4
• SUMMARY ...8
• CONTENTS ...12
• 목차 ...14
• 제 1 장 연구개발과제의 개요...16
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황...17
• 1) 국외 기술동향 ...18
• 2) 국내 기술동향 ...19
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...21
• 제1절 유기 절연체 재료 및 공정 개발[1] ...22
• 제2절 유기 반도체 공정 개발 ...25
• 제3절 Gate 및 S/D 금속개발 ...27
• 제4절 Passivation 기술 개발 ...30
• 제5절 신규 증착 기술 개발 ...32
• 제6절 Plastic handling 기술 개발 ...34
• 제7절 Printing 기술 개발 ...36
• 제8절 TFT 제조 기술 ...55
• 제9절 Array 제조 기술 개발 ...56
• 제10절 유기 TFT Array 신뢰성 향상 기술 개발 ...60
• 제11절 장비현황 ...62
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도...63
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...65
• 제 6 장 참고문헌...67