초록 ▼

$\bullet$ 양산화 기술 확보를 위한 대면적 이온빔 및 마그네트론 스퍼터링 기술 확보(면적 $30{\times}40cm^2$)
- 대면적 ZnO 기판의 균일성 확보를 위한 공정 조건 확립
- 표면 에칭을 통한 광학적 특성 변화 조사
- 태양 전지 적용 및 기존 상용 기판과의 특성 비교
$\bullet$ Index matching막/다원계 투명도전산화물 박막/보호막 다층구조 최적화
- 25.4 $cm^2/Vs$의 높은 이동도

$\bullet$ 양산화 기술 확보를 위한 대면적 이온빔 및 마그네트론 스퍼터링 기술 확보(면적 $30{\times}40cm^2$)
- 대면적 ZnO 기판의 균일성 확보를 위한 공정 조건 확립
- 표면 에칭을 통한 광학적 특성 변화 조사
- 태양 전지 적용 및 기존 상용 기판과의 특성 비교
$\bullet$ Index matching막/다원계 투명도전산화물 박막/보호막 다층구조 최적화
- 25.4 $cm^2/Vs$의 높은 이동도를 갖는 Zn-Sn-O계 비정질 박막 제작
- 높은 열적 화학적 안정성을 가진 ZTO($SnO_2-ZnO$) 박막 제작
$\bullet$ ZnO계 박막의 물성 최적화 및 저온 공정 개발 및 태양전지 적용
- 수소화된 Al doped ZnO 박막 제작
(비저항: $3.21{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, 증착온도: 150$^{\circ}C$, 광투과도: 85%이상)
- 최적화된 ZnO계 유리기판을 ${\mu}c-Si$ 태양전지, 이종접합 태양전지, 유기태양전지 등에 적용 후 효율 분석
$\bullet$ 대면적화를 위한 Aluminum 도핑 라인과 수소 도핑 라인을 같이 갖춘 Photo-LP MOCVD 장치 개발

목차 Contents

• 제 1 장 기술개발 목적 및 중요성...12
• 제 1 절 기술개요 및 개발 필요성...12
• 제 2 절 관련기술의 국내외 현황...16
• 제 3 절 현존기술의 문제점 및 해결방안...19
• 제 2 장 기술개발 목표 및 달성 전략...32
• 제 1 절 최종개발목표 및 핵심기술 확보방안...32
• 제 2 절 연차별 개발목표 및 내용...33
• 제 3 절 연구개발 추진체계...39
• 제 3 장 기술개발 결과...41
• 제 1 절 물성 향상을 위한 요소기술 개발...41
• 제 2 절 대면적/양산화 요소 기술 개발...53
• 제 3 절 Photo-LP MOCVD 장치 개발...61
• 제 4 절 물성 최적화 및 저온 공정 개발...64
• 제 5 절 ZnO 유리기판 안정화 기술 개발...98
• 제 6 절 대면적 시제품 제작 및 태양전지 적용 연구...133
• 제 4 장 결론...156
• 제 1 절 기술개발 결과 요약...156
• 제 2 절 기대효과 및 활용방안...158
• 제 3 절 개발기술의 실용화(상용화) 전략...161