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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 Korea University |
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연구책임자 | 김동환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-10 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800069131 |
과제고유번호 | 1350015173 |
사업명 | 기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | short channel.SMC.poly-Si.gate oxide.TFT-LCD.Deuterium.short channel.SMC.poly-Si.gate oxide.TFT-LCD.Deuterium. |
다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 기술개발 방향은 트랜지스터의 특성을 향상 시킬 뿐 아니라 이 트랜지스터들로 형성된 회로의 동작속도 향상을 강조하는
쪽이다.
1. 단위공정조건 확립
(1) TFT 제작공정 개발을 위한 Test Pattern (TP) 및 layout 구상
(2) 저온 결정화 공정조건 확립
(3) 전산모사를 통한 이온주입공정의 최적화
(4) 이온빔 스퍼터링을 이용한 게이트 산화막 제작공정 개선
(5) 저온 gate oxide 막의 형성방법에 관한 공정 조건 확보
- PECVD를
The tendency of thin film poly-crystalline technological development is not only
the improvement of transistor performances but also the high response rate of
electric circuit which consists of these transistors.
1. The establishment of unit process conditions
(1) Plan of TP (Test Patter
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