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NTIS 바로가기주관연구기관 | 인하대학교 InHa University |
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연구책임자 | 김현우 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-05 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국학술진흥재단 Korea Research Foundation |
등록번호 | TRKO200900069806 |
과제고유번호 | 1350018281 |
사업명 | 지역대학우수과학자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 실리콘기판.완충층.질화물반도체.Si substrates.Buffer layer.Nitride Semiconductors. |
발광소자재료인 GaN (질화물반도체)를 발전된 Si공정기술과 조합하기 위하여 실리콘상에 성장시킨다. 이 때 박막내의 결정결함을 최소화하여 궁극적으로 에피텍셜층을 제조하기 위하여 ZnO, GaN등 완충층의 적용등을 연구할 것이며 이 때 고품질(단결정)의 완충층재료의 성장을 목표로 한다. 또한 실리콘기판의 오염도를 낮추기 위한 표면처리의 영향도 평가할 예정이다.
① 박막제조를 위한 기본장비 즉, MOCVD 및 sputter를 setup하고 Si기판상에 GaN 박막을 성장시키기 위한 완충층재료를 자료조사에 의하여 ZnO 박막으로 선
We fabricate the GaN thin films on Si substrates. In order to minimize the structural defects inside the thin films, we investigate the application of highly crystalline buffer layers such as ZnO and GaN. We also evaluate the in-situ or ex-situ surface treatments for reducing the substrate surface c
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