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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울과학기술대학교 |
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연구책임자 | 최병준 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-06 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202100012925 |
과제고유번호 | 1345313920 |
사업명 | 개인기초연구(교육부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-09-04 |
키워드 | III족 질화물.원자층 증착법.고이동도 트랜지스터.박막 트랜지스터.저항변화메모리.멤리스터.2차원 전자가스.화합물 반도체. |
□연구개요
III족 질화물 반도체는 고성능, 저에너지 소모의 특성으로 무선통신기기, 전력 반도체, 자동차용 전자기기 등에 널리 쓰이고 있음. 그런데 고품질의 III족 질화물을 성장시키는 기술은 1000도 이상의 고온화학 공정을 요구하기 때문에 제한적인 단결정 기판에서만 성장이 가능함. 이에 따라 실리콘 집적 소자와의 연계성이나 기판 선택에 제한이 있어 왔음. 본 연구에서는 원자층 증착법 (atomic layer deposition)을 이용해 400도 이하 저온에서 III족 질화물 (AlN, GaN, AlGaN) 박막을 성장 시
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