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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 김형준 |
참여연구자 | 황철성 , 강상열 , 박재후 , 권오성 , 노상용 , 조금석 , 김범석조문주 , 오진호 , 김성근 , 박태주 , 엄다일 , 박우영 , 정두석 , 이상운 , 최병준 , 허재영 , 서민하 , 심준섭 , 홍석훈 , 서한석 , 임정혁 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2005-06 |
과제시작연도 | 2004 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900071613 |
과제고유번호 | 1350019499 |
사업명 | 국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 고유전박막.캐패시터.전극.화학기상증착.원자층 증착.박막재료.High-κ dielectric.capacitor.electrode.CVD.ALD.thin film. |
우리나라가 세계최고의 경쟁력과 기술력을 갖춘 분야인 초고집적 메모리 반도체 공정 기술의 핵심으로 전하의 저장을 위한 커패시터 형성 기술을 들 수 있다. 커패시터의 경 우, 현재까지는 좁은 면적에서 원하는 capacitance를 얻기 위해 삼차원 구조의 단차 심화, 구조 변화 및 hemi-spherical grain (HSG) 기술을 이용한 표면적 증가 등의 방법을 주로 사용해왔으나,이러한 접근방법들은 이미 한계에 이르렀음이 명백해졌다.따라서 BST나 STO, Hf$O_2$/Ti$O_2$ 등의 고유전박막을 이용하여 초고집적 DRAM용
The final goal of the development is to establish the fabrication technology of the next-generation capacitor and MOSFETS. And its subordinate objects are the development of the chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) technology in high-k dielectrics, ferroelectrics, metal e
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