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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 윤의준 |
참여연구자 | 황희돈 , 김현진 , 나현석 , 안웅진 , 권순용 , 박광민 , 서희찬 , 김희진 , 이학선 |
보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-10 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900073217 |
과제고유번호 | 1350017888 |
사업명 | 국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | 화합물 반도체.광전소자.에피성장.실시간 성장 제어.실시간 모니터링.compound semiconductor.optoelectronic device.epitaxial growth.real time control.in-situ monitoring. |
본 연구의 최종목표는 광전소자용 고품위 화합물 반도체 에피성장기술의 확립이며, 이를 위하여 MOCVD 성장기술 최적화와 에피성장 중의 실시간 모니터링 및 실시간 제어기술을 확보하는 것이 핵심 내용이다. 1단계 연구기간에는 화합물 반도체 에피 성장의 실시간 모니터링 분석 기술을 확립하며, 2단계에서는 실시간 에피 성장 제어 기술 확립 및 이를 이용한 광전소자용 고품위 화합물반도체 양자구조를 에피 성장하는 것이다. 2년간 수행한 연구를 통하여 실시간 옹력 측정 장치인 MOS 장치의 국산화에 성공하였다. 특히 입사각을 75도로 증가시키면
The purpose of '1st step research' is to establish techniques on real-time monitoring ad ananlysis during epitaxial growth of compound semiconductors. Techniques for this purpose include epitaxial growth with single-atomic-layer accuracy and reproducibility. Additionally Spectral Reflectance (SR) te
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