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[국가R&D연구보고서] 중성자 분말회절 장치에 의한 GaN nano-cystaline과 GaN nano-write에 관한 연구
A study on GaN nano-crystalline and GaN nano-wire by high resolution powder diffractometer 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 고려대학교
Korea University
연구책임자 김상식
참여연구자 성만영 , 김현석 , 박광수 , 송현우 , 김기현
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2001-04
주관부처 과학기술부
연구관리전문기관 한국과학재단
Korea Science and Engineering Foundtion
등록번호 TRKO200900073297
DB 구축일자 2013-04-18

초록

본 연구는 GaN nano-crystalline과 nanowire의 합성을 위하여 열처리 조건을 개발하고 중성자 회절에 의한 구조 분석방법을 통해서 합성한 GaN nano-crystalline 입자와 nanowire에 대한 성장기구 및 물리적 특성을 연구하고 XRD, SEM, TEM 분석을 통해서 얻은 결과를 종합적으로 분석하는 것을 연구목표로 하였다. 이를 위해서 본 연구팀은 시료 준비 단계에서 powder 형태의 GaN 분말(-100mesh 99.9%)을 준비하고 mechanical grinding을 위하여 SPEX 8000M

Abstract

In fabricating devices with semiconducting materials, the achievement of optimizing devices depends on the understanding of properties of these semiconducting materials and the control of the properties as wanted. Optical and electrical properties of them are affected by impurity and native defects.

목차 Contents

  • 표지...1
  • 제출문...2
  • 요약문...3
  • SUMMARY...8
  • CONTENTS...10
  • 목차...11
  • 제1장 서 론...12
  • 제2장 국내.외 연구개발 현황...15
  • 제3장 연구개발수행 내용 및 결과...17
  • 제1절 연구 내용...17
  • 1. mechanical grinding...17
  • 2. thermal annealing...20
  • 제2절 연구 결과...21
  • 1. mechanical grinding method에 의한 비정질화 특성...21
  • 2. 열처리에 의해 합성한 fJ-Ga203 nano-crystalline과 nanowire 물질...25
  • 3. 열처리에 의해 합성한 GaN nano-crystalline과 nanowire 물질...36
  • 제4장 연구개발 목표 달성도 및 대외 기여도...46
  • 제5장 연구개발결과의 활용계획...48
  • 제6장 참고 문헌...49

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참고문헌 (25)

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