초록 ▼

반도체 시장은 메모리 시장을 바탕으로 발전해 오고 있다 그 대표적인 예로 DRAM을 들 수 있다. DRAM을 핵심으로 하는 반도체 제품의 대량생산이 시작된 이후로 Lithography 기술 개발이 비약적으로 이루어져 왔다. DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 집적도는 3년주기로 4배씩 증가하여 왔고 기타 다른 메모리나 로직 제품은 약 2~3년 늦게 뒤따라오고 있다. 이에 따른 제품의 설계방식(Minimum pattern size) 역시 4Mb DRAM의 0.8㎛에서 1Gb DRAM의 0.18㎛이상으로 발

반도체 시장은 메모리 시장을 바탕으로 발전해 오고 있다 그 대표적인 예로 DRAM을 들 수 있다. DRAM을 핵심으로 하는 반도체 제품의 대량생산이 시작된 이후로 Lithography 기술 개발이 비약적으로 이루어져 왔다. DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 집적도는 3년주기로 4배씩 증가하여 왔고 기타 다른 메모리나 로직 제품은 약 2~3년 늦게 뒤따라오고 있다. 이에 따른 제품의 설계방식(Minimum pattern size) 역시 4Mb DRAM의 0.8㎛에서 1Gb DRAM의 0.18㎛이상으로 발전해 왔고 현재는 Non Optical Lithography 기술을 맞이해야 하는 단계에 놓여 있다. Optical Lithography에서의 해상력은 노광 광원의 파장에 반비례 하는데 "Step and Repeat"의 노광방식을 채택한 초기의 Stepper에서 사용한 광원의 파장은 436㎚(g-line)에서 365㎚(i-line)을 거쳐 현재는 248㎚(KrF Excimer Laser) 파장의 DUV Light를 이용하는 Stepper나 Scanner Type의 노광장비를 주로 사용하고 있고, 지금 사용되어 지는 Mask aligner 장비는 주로 365nm(i-line)과 248nm가 대표적으로 사용되어 지고 있다. 반도체 산업에서 더 미세한 패턴을 설계하여 메모리의 용량을 늘리기 위해서는 248nm보다 더 작은 파장을 가진 광원을 채택하여야 한다.
그러나 이러한 DUV Lithography에서 해상력을 높이기 위한 여러 기술을 조합한다 하여도 0.1㎛ 이하의 Patterning은 불가능하므로 새로운 Light Source를 갖는 Lithography의 개발이 활발히 진행되고 있다. 현재 가장 근접한 기술로는 Electron Beam과 X-Ray를 Source로 하는 노광장비 개발이 있고, 그외에 EUV(Extream Ultra-violet)와 Ion Beam을 Source로 하는 기술이 개발되었다. 그러나, 아직 어느 것이 차세대 Lithography가 될지 예측은 불가능하지만 최소 3에서 4년내 에는 윤곽이 나타날 것이다.

목차 Contents

• 제출문 ...1
• 요약서(초록) ...2
• 목차 ...3
• 제1장 서론 (기술개발의 개요) ...4
• 제1절 개발대상기술(또는 제품)의 중요성(필요성) ...5
• 제2절 국내외 관련기술의 현황(시장규모 포함) ...5
• 제3절 기술개발시 예상되는 파급효과 및 활용방안 ...6
• 제2장 본론 (기술개발 내용 및 방법) ...7
• 제1절 기술개발 목표 및 세부내용(계획) ...7
• 제2절 세부개발내용 및 방법(실적) ...8
• 제3절 실험데이타, 도면, 인증서 등 ...19
• 제3장 결론 ...23
• 제1절 계획대비 실적 및 성과 ...23
• 제2절 향후 개선 사항 ...23
• 제3절 적용분야 및 기대효과 ...23