초록 ▼

[1차년도 개발 내용 및 결과]
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판 기반의 고주파 모듈용 SiP 플랫폼 기술
(1) 6인치 Wafer 기반의 수동소자/전송선 집적기술
- 저가의 공업용 알루미늄 소재를 이용, 절단/평탄화/양극산화 등 저가의 공정을 통해 고주파용 소자가 집적 가능한 절연막을 가지는 6인치 양극산화 Wafer를 생산하였음.
○ 6인치 알루미늄 Wafer 제작 기술 개발 완료
○ 6인치 알루미늄 Wafer의 선택적 양극산화 기술 개발 완료
○ 6인치 선택적 양극산화된 알루미늄 Wafer의

[1차년도 개발 내용 및 결과]
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판 기반의 고주파 모듈용 SiP 플랫폼 기술
(1) 6인치 Wafer 기반의 수동소자/전송선 집적기술
- 저가의 공업용 알루미늄 소재를 이용, 절단/평탄화/양극산화 등 저가의 공정을 통해 고주파용 소자가 집적 가능한 절연막을 가지는 6인치 양극산화 Wafer를 생산하였음.
○ 6인치 알루미늄 Wafer 제작 기술 개발 완료
○ 6인치 알루미늄 Wafer의 선택적 양극산화 기술 개발 완료
○ 6인치 선택적 양극산화된 알루미늄 Wafer의 신뢰성 검증 수행
○ 양극산화된 산화막의 전기 및 고주파 특성 분석 수행
○ 6인치 알루미늄 Wafer에 적용가능한 반도체 공정 기술 개발 완료
○ 6인치 알루미늄 Wafer에 R, L, C Library 구축 완료
(2) 고성능 집적 수동 소자 (IPD) 제작 기술
- 양극산화 알루미늄 기판의 절연부에 미세 반도체 공정을 적용하여 고주파 모듈에 응용되는 고성능, 고집적 통신용 IPD (Integrated Passive Device)를 제작하였음.
○ 고품질 계수를 갖는 Inductor 개발
○ 0.9/1.8 GHz 대역의 이동통신 단말기용 IPD 설계 및 제작 완료
○ 2.4/5.4 GHz 대역의 WLAN 단말기용 IPD 설계 및 제작 완료
[2차년도 개발 기술]
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판을 이용한 고집적 Embedded IC Packaging 기술
(1) Hybrid IC Packaging 기술을 위한 Active 칩 실장 기술
- 알루미늄 기판의 절연부에 수동소자를 집적한 뒤, 선택적으로 형성된 알루미늄 방열부에 발열이 많은 Active 칩을 기판의 표면 또는 내부에 실장하고 전기적 Interconnection을 형성하여 Hybrid 방식의 IC Packaging을 구현하였음.
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판에 MMIC 칩을 내장할 수 있는 PEP (Pocket Embedded Package) 기술 개발 완료
○ 반도체 공정 및 후공정을 통한 Hybrid IC Packaging 기술 개발 완료
(2) Hybrid IC Packaging 방식의 고주파 모듈 제작 기술
- 양극산화 알루미늄 Wafer의 Hybrid IC Packaging 방식을 통해 MMIC와 동등한 성능과 크기의 고주파/고출력 모듈을 저가의 공정으로 구현하였음.
○ 2.4 GHz 대역의 WLAN용 FEM 설계 및 제작 완료
○ 2.4/5.4 GHz 대역의 Dual-Band WLAN용 FEM 설계 및 제작 완료
○ 2.5 GHz 대역 WiBro/WiMAX 용 FEM 설계 및 제작 완료
○ X-Band 5 Watt 급 High Power Amplifier 설계 및 제작 완료
(3) 초박형 Wafer-Level Package 기술 (Super Lead-Frame 기술)
- 양극산화 알루미늄 기판의 Backside 알루미늄을 Wet-Etching 공정을 통해 식각하여 입출력 단자를 형성하는 QFN (Quad Flat No lead) 방식의 초박형 Wafer-Level Super Lead-frame (SLF) Package를 개발하였음.
○ Wafer-Level Packaging 방식의 Super Lead-frame (SLF) 개발 완료
○ SLF 기술을 적용한 IPD 제작 완료
○ 양극 산화 알루미늄 기판을 이용한 조명용 High Power LED Module 개발
- 양극산화 알루미늄 기판의 방열특성을 활용하여 알루미늄의 방열부에 LED Bare Die를 실장하여 열방출이 우수한 8 Watt 급 LED 모듈 Package를 구현하였음.
○ 알루미늄 기판을 이용하여 반사경이 내장된 COB 형태의 낮은 열 저항 기판 제작 완료
○ 형광체 시트 제조 방법 개발 완료
○ IcePak, Light Tool을 이용한 방열 효과가 우수한 배열구조 및 광 추출 효율 최적화 수행
○ 1 Watt 급 LED (Light Emitting Diode) Bare Chip를 이용하여 8 Watt 급 LED 모듈 제작 완료 (효율 : 64.62 lm/W, 연색지수 : 80.83, Power : 8W, 열저항 : 3.46℃/W 달성)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 기술개발사업 보고서 초록 ... 3
• 연구개발사업 주요 연구성과 ... 18
• 목차 ... 28
• 제1장 서론 ... 29
• 제1절 개발기술의 중요성 및 필요성 ... 29
• 제2절 국내.외 관련 기술의 현황 ... 33
• 제3절 기술개발 시 예상되는 기술적.경제적 파급 효과 ... 39
• 제2장 기술개발 내용 및 방법 ... 41
• 제1절 최종 목표 및 평가 방법 ... 41
• 제2절 연차별 목표 및 평가 방법 ... 42
• 제3절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 46
• 제3장 결과 및 향후 계획 ... 57
• 제1절 연차별 연구개발 결과 ... 57
• 1. 연차별 연구개발 추진 일정 ... 57
• 2. 연차별 연구개발 추진 실적 ... 58
• 3. 각 기관/기업별 추진 내역 ... 160
• 4. 기술개발 결과의 유형 및 무형 성과 ... 161
• 제2절 시장 현황 및 사업화 전망 ... 174
• 제3절 차기 년도 계획 ... 184
• 제4절 연차별 사업비 사용 현황 ... 192
• 제5절 기업 재무건전성 현황 ... 194
• 부 록 - 특허권리분석 결과활용보고서 ... 195
• 끝페이지 ... 209