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Kafe 바로가기주관연구기관 | 웨이브닉스이에스피 |
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보고서유형 | 연차보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-01 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 지식경제부 |
사업 관리 기관 | 한국산업기술평가관리원 (중기청) Korea Evaluation Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO201000010392 |
과제고유번호 | 1415100288 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 금속기판,양극산화 알루미늄 기판,고주파 모듈 패키지,형광체 시트System-in-Package,SiP,Wafer Level Package,WLP,Integrated Passive Devices,IPD,Front-End Module,FEM,Pocket Embedded Package,PEP,Super Lead-frame,SLF,LED Module,High Power LED Module |
[1차년도 개발 내용 및 결과]
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판 기반의 고주파 모듈용 SiP 플랫폼 기술
(1) 6인치 Wafer 기반의 수동소자/전송선 집적기술
- 저가의 공업용 알루미늄 소재를 이용, 절단/평탄화/양극산화 등 저가의 공정을 통해 고주파용 소자가 집적 가능한 절연막을 가지는 6인치 양극산화 Wafer를 생산하였음.
○ 6인치 알루미늄 Wafer 제작 기술 개발 완료
○ 6인치 알루미늄 Wafer의 선택적 양극산화 기술 개발 완료
○ 6인치 선택적 양극산화된 알루미늄 Wafer의
[1차년도 개발 내용 및 결과]
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판 기반의 고주파 모듈용 SiP 플랫폼 기술
(1) 6인치 Wafer 기반의 수동소자/전송선 집적기술
- 저가의 공업용 알루미늄 소재를 이용, 절단/평탄화/양극산화 등 저가의 공정을 통해 고주파용 소자가 집적 가능한 절연막을 가지는 6인치 양극산화 Wafer를 생산하였음.
○ 6인치 알루미늄 Wafer 제작 기술 개발 완료
○ 6인치 알루미늄 Wafer의 선택적 양극산화 기술 개발 완료
○ 6인치 선택적 양극산화된 알루미늄 Wafer의 신뢰성 검증 수행
○ 양극산화된 산화막의 전기 및 고주파 특성 분석 수행
○ 6인치 알루미늄 Wafer에 적용가능한 반도체 공정 기술 개발 완료
○ 6인치 알루미늄 Wafer에 R, L, C Library 구축 완료
(2) 고성능 집적 수동 소자 (IPD) 제작 기술
- 양극산화 알루미늄 기판의 절연부에 미세 반도체 공정을 적용하여 고주파 모듈에 응용되는 고성능, 고집적 통신용 IPD (Integrated Passive Device)를 제작하였음.
○ 고품질 계수를 갖는 Inductor 개발
○ 0.9/1.8 GHz 대역의 이동통신 단말기용 IPD 설계 및 제작 완료
○ 2.4/5.4 GHz 대역의 WLAN 단말기용 IPD 설계 및 제작 완료
[2차년도 개발 기술]
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판을 이용한 고집적 Embedded IC Packaging 기술
(1) Hybrid IC Packaging 기술을 위한 Active 칩 실장 기술
- 알루미늄 기판의 절연부에 수동소자를 집적한 뒤, 선택적으로 형성된 알루미늄 방열부에 발열이 많은 Active 칩을 기판의 표면 또는 내부에 실장하고 전기적 Interconnection을 형성하여 Hybrid 방식의 IC Packaging을 구현하였음.
○ 선택적 양극산화된 알루미늄 기판에 MMIC 칩을 내장할 수 있는 PEP (Pocket Embedded Package) 기술 개발 완료
○ 반도체 공정 및 후공정을 통한 Hybrid IC Packaging 기술 개발 완료
(2) Hybrid IC Packaging 방식의 고주파 모듈 제작 기술
- 양극산화 알루미늄 Wafer의 Hybrid IC Packaging 방식을 통해 MMIC와 동등한 성능과 크기의 고주파/고출력 모듈을 저가의 공정으로 구현하였음.
○ 2.4 GHz 대역의 WLAN용 FEM 설계 및 제작 완료
○ 2.4/5.4 GHz 대역의 Dual-Band WLAN용 FEM 설계 및 제작 완료
○ 2.5 GHz 대역 WiBro/WiMAX 용 FEM 설계 및 제작 완료
○ X-Band 5 Watt 급 High Power Amplifier 설계 및 제작 완료
(3) 초박형 Wafer-Level Package 기술 (Super Lead-Frame 기술)
- 양극산화 알루미늄 기판의 Backside 알루미늄을 Wet-Etching 공정을 통해 식각하여 입출력 단자를 형성하는 QFN (Quad Flat No lead) 방식의 초박형 Wafer-Level Super Lead-frame (SLF) Package를 개발하였음.
○ Wafer-Level Packaging 방식의 Super Lead-frame (SLF) 개발 완료
○ SLF 기술을 적용한 IPD 제작 완료
○ 양극 산화 알루미늄 기판을 이용한 조명용 High Power LED Module 개발
- 양극산화 알루미늄 기판의 방열특성을 활용하여 알루미늄의 방열부에 LED Bare Die를 실장하여 열방출이 우수한 8 Watt 급 LED 모듈 Package를 구현하였음.
○ 알루미늄 기판을 이용하여 반사경이 내장된 COB 형태의 낮은 열 저항 기판 제작 완료
○ 형광체 시트 제조 방법 개발 완료
○ IcePak, Light Tool을 이용한 방열 효과가 우수한 배열구조 및 광 추출 효율 최적화 수행
○ 1 Watt 급 LED (Light Emitting Diode) Bare Chip를 이용하여 8 Watt 급 LED 모듈 제작 완료 (효율 : 64.62 lm/W, 연색지수 : 80.83, Power : 8W, 열저항 : 3.46℃/W 달성)
과제명(ProjectTitle) : | - |
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연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
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