초록 ▼

반도체 시장 규모가 커지고 원가는 낮아짐에 따라 IC 반도체 업계에서는 채산성을 맞추
기 위해 최신 제품을 대량으로 신속히 출시 하는게 중요한 과제이며 이러한 추세에 따라
높은 수율을 가지고 있는 Chip만 Packaging 다음단계로 보내져야만 생산 수율에 따른 원
가절감의 극대화를 가지고 있는 시점이다.
이를 위해서는 Wafer 상태에서 불량유무를 검사할 수 있는 프로브 카드가 필요하며 프
로브 카드란 반도체 Fab 공정이 끝난 Wafer의 각 Chip들을 검사하기 위해 회로를 가진
PCB 및 세

반도체 시장 규모가 커지고 원가는 낮아짐에 따라 IC 반도체 업계에서는 채산성을 맞추
기 위해 최신 제품을 대량으로 신속히 출시 하는게 중요한 과제이며 이러한 추세에 따라
높은 수율을 가지고 있는 Chip만 Packaging 다음단계로 보내져야만 생산 수율에 따른 원
가절감의 극대화를 가지고 있는 시점이다.
이를 위해서는 Wafer 상태에서 불량유무를 검사할 수 있는 프로브 카드가 필요하며 프
로브 카드란 반도체 Fab 공정이 끝난 Wafer의 각 Chip들을 검사하기 위해 회로를 가진
PCB 및 세라믹 판에 Needle을 부착하여 Chip의 각 Pad에 접촉시켜서 Tester의 전기적 신
호를 전달해 각 Chip의 불량을 가려낼 수 있도록 하는 반도체 검사 공정의 중요한 탐침
Tool로서(Fig 1-1 참조), 기존의 텅스텐 니들로 제작되던 구조에서 IT의 급속한 발달로
Chip의 소형화가 요구되면서 Chip 내부의 선폭 및 Pad Pitch가 줄어들게 되고 또한 생산
속도를 높이기 위해 8~32개의 Chip을 동시에 검사하던 방법에서, 64개~200개 이상까지 검
사요건이 높아진 실정이다. 이를 위해서는 MEMS (Micro Electro Mechanical System)기술
을 이용한 MEMS 프로브 카드가 절실히 필요한 상태이나 미국에 있는 Form Factor를 비
롯한 몇몇 해외 선진업체에서 및 국내에서는 파이컴에서만 국한적으로 개발 양산 하고 있
는 실정이다. 그러나 Full MEMS 카드의 경우 세라믹 기판위에 Bump를 제작하고 실리콘
에 탐침을 하는 Tip 부분을 별도로 만든 후 미세 본딩에 의해 접합하는 일체형 방식이므
로 측정 탐침부 마모 및 불량 발생 시 그 부분만 별도로 Repair 진행이 매우 어려우며
MEMS 프로브카드 제작시에도 공정 수율이 매우 낮아 원가 및 품질 문제를 많이 내포하
고 있으며 제작 공정을 위한 Fab 투자의 경우에도 최소 100억 이상이 소요되어 일반중소
기업에서의 초기 투자가 어렵다는 단점과 대다수의 원천 특허를 미국 Form Factor에서 보
유 하고 있어 이로 인해 국내에 있는 유일한 MEMS 방식의 프로브 카드 회사인 P사에 특
허소송이 진행 중이다. 또한, 300mm 이상의 대면적Wafer를 한번에 검사 할 수 있는 프로
브 카드의 경우(176Para) 평탄화 및 Wafer 가능 Size 문제로 인해 Form Factor에서도 Full
MEMS 방식이 아닌 이전에 진행하던 Wire Bonding방식을 접목 시킨 Semi-MEMS 방식으로
전환 중에 있다.

목차 Contents

• 표지...1
• 제출문...2
• 요약서(초록)...3
• 목차...5
• 제 1장 서론 (기술개발의 개요)...6
• 제 1 절 개발대상기술(또는 제품)의 중요성(필요성)...6
• 제 2 절 국내외 관련기술의 현황(시장규모 포함)...8
• 제 3 절 기술개발시 예상되는 파급효과 및 활용방안...12
• 제 2장 본론 (기술개발 내용 및 방법)...14
• 제 1 절 기술개발 목표 및 세부내용(계획)...14
• 제 2 절 세부개발내용 및 방법(실적)...16
• 1. 1차 고강도 합금 도금용액 제작 실험결과...20
• 2. 2차 고강도 합금 도금용액 제작 실험결과...24
• 3. 합금비 및 도금 방법에 따른 Ni-Co 도금 경도 상승 실험계획 1차...30
• 4. Wafer Seed Layer 선정 및 Seed Layer 안정적인 제거 약품 개발...37
• 5. Ni-Co 도금상 Au 밀착력 향상 방안...40
• 6. Wafer상 도금니들 분리방법 개발...44
• 7. 안정된 Ni-Co 도금 경도 상승 2차 실험 결과...48
• 8. Ni-Co 도금 두께 Speed 향상 & 신규 물성 Layer 개발...55
• 9. 솔더링성 평가 & 최종평가를 위한 세라믹 기판제작...69
• 제 3 절 최종평가 결과(시험성적서, 평가 Data, 인증서, 구입기자제, 개발제품)...73
• 제 3장 결론...82
• 제 1 절 개발결과 및 향후 추진 계획...82
• 제 2 절 적용분야 및 기대 효과...83
• 제 4장 참고문헌...84