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고유전율 산화물 전하트랩층을 이용한 비휘발성 메모리의 레이저 스파이크 열처리 효과 연구
Investigation of the effect of laser spike annealing on high-k charge trapping layer based nonvolatile memory 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 경희대학교 국제캠퍼스
연구책임자 임대영
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2010-04
과제시작연도 2009
주관부처 교육과학기술부
사업 관리 기관 한국연구재단
등록번호 TRKO201000013434
과제고유번호 1345105653
사업명 일반연구자지원
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 비휘발성메모리.고유전율 산화물.레이저 스파이크 열불림.열처리.반도체.도핑.laser spike annealing.high-k oxide.nonvolatile memory.thermal annealing.semiconductor.doping.

초록

고유전율 산화물의 defect 를 전하트랩으로 사용하는 metal-oxide-high-k-oxide-semiconductor (MOHOS) 구조의 메모리는 산화물 defect가 열처리에 민감하게 의존하므로 그 메모리 특성 또한 열처리 조건에 크게 좌우된다. MOHOS 메모리의 최적 구동을 위해서는 고온의 열처리가 필요하지만 열처리는 전하트랩과 관련된 defect를 제거하므로 열처리가 메모리 특성에 미치는 영향에 대한 이해는 무엇보다 중요하다. 특히 최근 레이저 스파이크 열처리(LSA)가 high-k 산화막 층간의 혼합이나 실리케이트

Abstract

Since MOHOS devices rely on the oxide defects in high-k oxides as charge traps, the memory property of MOHOS devices should also depend strongly on the thermal processing condition. For example, high-k metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) requires high temperature rapid thermal

목차 Contents

  • 일반연구자지원사업 최종보고서 ...1
  • 목차 ...2
  • I. 연구 계획 요약문 ...3
  • 1. 국문 요약문 ...3
  • II. 연구 결과 요약문 ...4
  • 1. 국문 요약문 ...4
  • 2. 영문 요약문 ...5
  • III. 연구 내용 및 결과...6
  • 1. 연구개발과제의 개요 ...6
  • 2. 국내외 기술개발 현황 ...8
  • 3. 연구수행 내용 및 결과 ...9
  • 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...14
  • 5. 연구결과의 활용계획 ...14
  • 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...15
  • 7. 주관연구책임자 대표적 연구 실적 ...15
  • 8. 참고 문헌 ...15
  • 9. 연구 성과 ...17
  • 10. 기타사항 ...17

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참고문헌 (25)

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