최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 경희대학교 국제캠퍼스 |
---|---|
연구책임자 | 임대영 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-04 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201000013434 |
과제고유번호 | 1345105653 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 비휘발성메모리.고유전율 산화물.레이저 스파이크 열불림.열처리.반도체.도핑.laser spike annealing.high-k oxide.nonvolatile memory.thermal annealing.semiconductor.doping. |
고유전율 산화물의 defect 를 전하트랩으로 사용하는 metal-oxide-high-k-oxide-semiconductor (MOHOS) 구조의 메모리는 산화물 defect가 열처리에 민감하게 의존하므로 그 메모리 특성 또한 열처리 조건에 크게 좌우된다. MOHOS 메모리의 최적 구동을 위해서는 고온의 열처리가 필요하지만 열처리는 전하트랩과 관련된 defect를 제거하므로 열처리가 메모리 특성에 미치는 영향에 대한 이해는 무엇보다 중요하다. 특히 최근 레이저 스파이크 열처리(LSA)가 high-k 산화막 층간의 혼합이나 실리케이트
Since MOHOS devices rely on the oxide defects in high-k oxides as charge traps, the memory property of MOHOS devices should also depend strongly on the thermal processing condition. For example, high-k metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) requires high temperature rapid thermal
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.