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고출력 빅셀 (수직 공동 표면 광 방출 레이저)을 이용한 실리콘 웨이퍼의 급속 열처리 공정에 대한 이론 및 실험적 연구
A Study on the Rapid Thermal Process of Silicon Wafer Using a High-Power VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 홍익대학교
Hongik University
연구책임자 박승호
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2019-11
과제시작연도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000002945
과제고유번호 1345302106
사업명 개인기초연구(교육부)(R&D)
DB 구축일자 2020-07-29
키워드 빅셀.최적 냉각시스템.급속가열.고출력 대면적.화학적 기상 증착.실리콘 웨이퍼.VCSEL.

초록

□ 연구개요
본 과제에서는 반도체와 디스플레이 산업에서 이용되는 기존의 다양한 열처리 장비들(CO₂ Laser, Halogen Lamp, Furnace)의 단점을 보완할 수 있는, 에너지 변환효율이 높으면서, 경제성이 있고, 급속열처리를 수행할 수 있는 새로운 고출력 VCSEL을 이용한 열처리 장비를 연구 개발하고자 하였다. 이 과정에서 VCSEL의 열 및 광학적 성능을 확인하였고, 반도체 웨이퍼 어닐링, LPCVD 공정설계 등의 이론적 연구와 실리콘 결정화 및 산화물 박막 어닐링 등의 실험을 통하여 검증하였다.

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 6
  • 가. 연도별 연구수행 내용 요약 ... 6
  • 나. 연도별 연구결과 ... 7
  • 3. 연구개발결과의 중요성 ... 17
  • 4. 참고문헌 ... 18
  • 5. 연구성과 ... 20
  • 끝페이지 ... 21

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참고문헌 (25)

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