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NTIS 바로가기주관연구기관 | 숭실대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 장훈 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2009-04 |
과제시작연도 | 2008 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO201000013759 |
과제고유번호 | 1345073236 |
사업명 | 특정기초연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | 메모리 재배치.플래시 메모리.내장 메모리.BISR.BIST.BISD.relocation memory.flash memory.built-in memory. |
내장 메모리 및 SoC의 수율을 개선시키기 위하여 사용되는 고장복구(BISR : Built-In Self-Repair)는 BIST와 BISD(Built-In Self-Diagnostics), BIRA(Built-In Redundancy Analysis) 등과 같은 여러 가지 메커니즘을 수반하고 있다. 일반적인 BIST의 구조는 테스트 회로를 테스트하기 위해 패턴을 자동적으로 생성해 테스트 회로에 입력시킨 후, 테스트 패턴과 테스트 후 결과 값이 사용자가 원하는 결과 값과의 동일 여부로 회로의 고장 유무를 판단하는 구조를 가지고 있다
BISR which is used to improve yield of built-in Memory and SoC, comes with a few of mechanism like BIST, BISD and BIRA. Generally BIST’s system is like this: To test testing-circuit, it makes a pattern by itself, and input that pattern into testing-circuit and then check testing-pattern and if its v
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