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NTIS 바로가기주관연구기관 | 정보통신산업진흥원 |
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연구책임자 | 박재근 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2005-07 |
주관부처 | 정보통신부 |
사업 관리 기관 | 정보통신연구진흥원 Institute for Information Technology Advancement |
등록번호 | TRKO201100001005 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
고 집적도 메모리 공정이나 시스템 ULSI 칩 내에 형성된 트랜지스터 등의 각 소자는 매우 긴 배선에 의해 상호 연결되어 있으며, 실제 ULSI 소자 전체의 성능은 배선에 의해 지배된다고 해도 과언이 아니다. 소자의 미세화가 진행되면 배선 구조상 저항과 정전용량의 감소가 곤란하기 때문에, 소자의 고속화를 실현하기 위해서는 저저항의 배선 금속 재료와 저 유전율의 층간 절연막 재료를 사용한 CMP 공정이 필수적이다.
특히 ULSI 소자의 고집적화, 고속화를 위해서는 Cu와 저 유전율 절연막인 low-k 물질을 사용한 다층 배선화가
?CMP methods for Cu/low-k applicable to next generation high integrated circuit memory or system LSI.
?Step 1: Researching current state of high selectivity Cu/Ta CMP slurry.
?Step 2: Researching current state of low selectivity Ta/low-k CMP slurry.
?Development of optimal conditions and ma
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