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NTIS 바로가기주관연구기관 | 홍익대학교 Hongik University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-04 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201100004614 |
과제고유번호 | 1345106178 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 원자층 증착법,비휘발성 메모리,시스템온글라스,박막 트랜지스터,나노부유게이트 메모리,고유전율 소재,반도체 산화물,전기적 물성,자기 제한 증착atomic layer deposition,nonvolatile memory,systems-on-glass,thin film transistors,nano-floating gate memory,high-k Materials,semiconducting oxides,electrical properties,self-limiting deposition |
차세대 Systems-On-Glass (SOGs)용 비휘발성 메모리 소자 제작을 위해 화학 흡착에 기반을 둔 원자층 증착법을 응용하는 기초 연구 수행을 목표로 한다. SOGs용 메모리 소자 개발은 유리 기판의 제약으로 인해, 크게 두 가지 핵심 기술로 나눠진다. 첫째 유리기판 위에 막질이 우수한 Si 박막을 형성하는 부분과, 둘째 다결정 실리콘 박막위에 비휘발성 메모리 소자인 나노 부유 게이트 메모리를 구현하는 부분으로 나눠진다. 1년으로 구성된 본 연구의 최종 연구 결과물은 유리기판위에 Systems-on-Glass용 비휘발성 나
Low temperature polycrystalline Si technology has opened up innovative approaches for next-generation displays due to the higher mobility of charge carriers, compared to that of the conventional a-Si based transistors. The high mobility allows a wide range of applications including LCDs, OLEDS, syst
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