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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한밭대학교 Hanbat University |
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연구책임자 | 김민회 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-06 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100012247 |
과제고유번호 | 1345317103 |
사업명 | 개인기초연구(교육부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-08-14 |
키워드 | 트랜지스터 메모리.용액 공정.박막 트랜지스터.강유전체.전하트랩 플래쉬 메모리.이중 게이트.저가 공정. |
□ 연구개요
1)연구 목표: 저가형 비휘활성 메모리소자를 위한 용액공정 하이브리드 트랜지스터의 소자 구조 연구
- 저가의 공정으로 고집적 저전력 메모리 트랜지스터를 구현하기 위한 소자 구조를 설계하고 실증하는 것을 목표로 함.
2)세부연구
- 용액 공정을 이용하여 강유전체 메모리와 전하트랩 메모리가 융합된 이중 게이트 트랜지스터 제작
- 2bit의 정보를 이중 게이트 구조의 상하 게이트 절연체에 개별적으로 1bit씩 쓰고 읽는 소자 개발 및 상하 채널 커플링 현상 분석
- 연구원 이중 게이트 트랜지스
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