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저가형 비휘발성 메모리 소자를 위한 용액공정 하이브리드 트랜지스터
Solution-processed hybrid transistor for low cost non-volatile memory devices 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한밭대학교
Hanbat University
연구책임자 김민회
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2020-06
과제시작연도 2020
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202100012247
과제고유번호 1345317103
사업명 개인기초연구(교육부)(R&D)
DB 구축일자 2021-08-14
키워드 트랜지스터 메모리.용액 공정.박막 트랜지스터.강유전체.전하트랩 플래쉬 메모리.이중 게이트.저가 공정.

초록

□ 연구개요
1)연구 목표: 저가형 비휘활성 메모리소자를 위한 용액공정 하이브리드 트랜지스터의 소자 구조 연구
- 저가의 공정으로 고집적 저전력 메모리 트랜지스터를 구현하기 위한 소자 구조를 설계하고 실증하는 것을 목표로 함.
2)세부연구
- 용액 공정을 이용하여 강유전체 메모리와 전하트랩 메모리가 융합된 이중 게이트 트랜지스터 제작
- 2bit의 정보를 이중 게이트 구조의 상하 게이트 절연체에 개별적으로 1bit씩 쓰고 읽는 소자 개발 및 상하 채널 커플링 현상 분석
- 연구원 이중 게이트 트랜지스

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 가. 연구의 배경과 중요성 ... 4
  • 나. 연구가설과 연구가설 및 최종 목표 ... 5
  • 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 6
  • 가. 1차년도 연구수행 내용 및 연구결과 ... 6
  • 나. 2차년도 연구수행 내용 및 연구결과 ... 9
  • 다. 3차년도 연구수행 내용 및 연구결과 ... 12
  • 3. 연구개발결과의 중요성 ... 14
  • 가. 연구결과의 기술적 중요성 ... 14
  • 4. 참고문헌 ... 14
  • 5. 연구성과 ... 15
  • 끝페이지 ... 15

참고문헌 (25)

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