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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 세종캠퍼스 |
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연구책임자 | 홍진기 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-06 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300010809 |
과제고유번호 | 1345152182 |
사업명 | 핵심연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-06-29 |
키워드 | 스위칭소자.비휘발성.자기논리소자.재설정 기능.Switching Device.Non-volatile.magneto-logic device.Reprogrammable.InSb.HgCdTe.Avalanche process. |
본 연구진은 HgCdTe 라는 화합물 반도체에 npn 접합을 만들고, 가운데 p 타입에 전극을 연결하지 않은 채 인가 바이어스에 따라 스위칭이 일어나는 현상을 관측하게 되었다. 중요한 발견 사항을 요약하면 아래와 같다.
· 자기장을 인가하지 않아도 인가전압의 증가함에 따라 급격하게 전류가 흐르는 현상이 발견되었다. 본 연구진은 이것을 avalanche 현상의 일종으로 파악하고 있다. 인가한 자기장이 클 경우에는 문턱 전압이 커지는 현상을 확인하였다. 더욱 중요한 것은 작은 자기장, 작은 인가전압에서 스위칭이 가능하다는 것이다.
Conventional FET based electronics has predicted the limit of evolution caused by the gate width problem and electron wave like properties. In addition, the non-volatile properties of a device has required the memory hub, so called RAM. The slow reprogrammable CPU based on Flash memory also has limi
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