초록

Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
○ Hexagonal SiC (4H, 6H) 기판 상에 전자빔을 조사하여 표면 근처에서 발생하는 결정구조 변화 양상을 파악하고 이의 금속/SiC 접합면의 전기적 특성 변화와의 연관성을 규명함.
○ 전자빔 조사를 통한 표면 국한 가열을 통해 그래핀 에피막을 형성할 수 있는 실험적 조건을 탐색하고 형성된 그래핀 에피막의 구조적, 전기적 특성을 분석함.

Abstract ▼

We have developed new process methodologies to form a thin surface layer with a different crystal structure from the bulk or graphene epilayer by irradiating electron beam directly on hexagonal SiC. The formation of the thin layer with a different crystal structure occurs at relatively high accelera

We have developed new process methodologies to form a thin surface layer with a different crystal structure from the bulk or graphene epilayer by irradiating electron beam directly on hexagonal SiC. The formation of the thin layer with a different crystal structure occurs at relatively high acceleration voltage of 500 kV and the epitaxial graphene is induced at low
acceleration voltage less than 10 kV.
We observed that the electron energy barrier at the metal/SiC interface on the e-beam irradiated area increased in comparison with the bare (non-irradiated) area. This supplies a convenient way for engineering the interface energy barrier of a Schottky diode that is one of the critical circuit elements of SiC-based electronics.
Regarding the graphene epilayer, we could identify the mechanism of graphene formation and its stacking structure by performing the structural and electrical characterization of the formed layer depending on the amount
of e-beam irradiated.
Our observations and findings are believed to contribute greatly to develop the future noble electronic devices operating in hostile environments such as high-temperature, high-voltage, high-current, and heavy radiation. Especially, it is expected that the formation of graphene epilayer could open up a new way to fabricate highly-reliable and energy efficient neutron detector suitable for nuclear power plant applications.

목차 Contents

• 제출문 ... 1
• 보고서 요약서 ... 2
• 요약문 ... 3
• SUMMARY ... 5
• CONTENTS ... 6
• 목차 ... 7
• 제1장 연구개발과제의 개요 ... 8
• 제1절 연구개발의 목적 및 필요성 ... 8
• 제2절 연구개발의 목표 및 내용 ... 11
• 제2장 국내외 기술개발 현황 ... 13
• 제1절 국내 연구개발 현황 ... 13
• 제2절 국외 연구개발 현황 ... 14
• 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 15
• 제1절 연구개발 수행 내용 ... 15
• 제2절 연구개발 수행 결과 ... 28
• 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 43
• 제1절 연구목표 달성 정도 ... 43
• 제2절 관련 분야에의 기여도 ... 45
• 제5장 연구개발결과의 활용계획 ... 46
• 제1절 연구개발결과의 활용도 ... 46
• 제2절 추가 연구개발의 필요성 ... 46
• 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 49
• 제1절 관련분야 해외 과학기술 동향 ... 49
• 제7장 참고문헌 ... 51