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NTIS 바로가기주관연구기관 | 국립순천대학교 |
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연구책임자 | 곽준섭 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-02 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300018071 |
과제고유번호 | 1345150642 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
키워드 | 수직구조 LED,전극 신뢰성,확산방지막GaN LED,Vertical LED,Reliability of electrode,Diffusion barrier,Ohmic contact |
연구의 목적 및 내용
대면적 수직구조 InGaN LED의 전극신뢰성 규명 및 이를 바탕으로 한 독자적인 전극 신뢰성 향상 기술 개발
◦ 본 연구진이 보유한 독창적인 Electro-Thermo-Migration 실험방법을 이용하여Laser lift-off (LLO)에 의한 대면적 수직구조 LED의 반사금속과 접착금속 전극신뢰성 연구
◦ 독자적인 전극금속(반사금속과 접착금속) 확산제어기술 연구
◦ 대면적 수직구조 InGaN LED에 대하여 접촉저항 10-4 Ω-cm2 이하,
Purpose&contents
Elucidation of the mechanism for reliability of electrode of the large-scale vertical InGaN LED and improvement of the reliability of the electrodes
○ The purpose of this research is to develop evaluation method of reliability for high power semiconductor lighting
○ Diffusi
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