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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한빔(주) |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-11 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
등록번호 | TRKO201500013330 |
과제고유번호 | 1425082761 |
사업명 | 기술혁신개발사업 |
DB 구축일자 | 2015-08-01 |
키워드 | 수직형.LED.wafer bonding.laser lift off. |
□ 개발목표
계 획
40mil 크기의 최대광출력 550mW, 동작전압 3.2V 이하인 수직형 LED칩 공정기술 개발. 광출력 450mW 이상 수율 70%(2인치 기판) 및 40%(4인치 기판)달성.
실 적
40mil 크기의 최대광출력 601mW, 동작전압 3.13V 인수직형 LED 칩 공정기술 개발.
광출력 450mW 이상 수율 93%(2인치 기판) 및 75%(4인치 기판)달성.
□ 정량적 목표항목 및 달성도
1. 최대광출력 [mW] : 계획(550 이상), 실적(601 mW)
2.
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