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질화물 발광다이오드의 효율 저하 현상에 관한 연구
Study on the efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 인하대학교
InHa University
연구책임자 류한열
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2012-06
과제시작연도 2011
주관부처 국가보훈처
사업 관리 기관 한국연구재단
등록번호 TRKO201300019010
과제고유번호 1345155184
사업명 신진연구지원사업
DB 구축일자 2013-08-26

초록

1. 주요 연구 결과
(1) Rate equation 모델에 의한 LED 효율저하(efficiency droop) 현상의 해석
- 반도체의 전하 재결합 모델에 기반한 rate equation을 이용하여 LED의 효율저하 현상을 해석함.
- InGaN 활성층에서 In clustering에 의한 유효 발광 체적 감소의 영향을 분석함.
- InGaN 양자우물에서 유효 발광 체적의 감소가 효율저하 현상의 주된 원인이 될 수 있음을 보임.
- 간접 천이형 Auger 재결합 과정과 유효 발광 체적 감소를 결합하여 효

목차 Contents

  • 일반연구자지원사업 최종(결과)보고서 ... 1
  • 목차 ... 2
  • Ⅰ. 연구결과 요약문 ... 3
  • Ⅱ. 연구내용 및 결과 ... 4
  • 1. 연구과제의 개요 ... 4
  • 2. 국내·외 기술개발 현황 ... 4
  • 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 4
  • 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ... 6
  • 5. 연구결과의 활용 계획 ... 6
  • 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 6
  • Ⅲ. 연구성과 ... 7

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참고문헌 (25)

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