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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경북대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 함성호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-06 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300019015 |
과제고유번호 | 1345151743 |
사업명 | 기본연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
본 과제에서는 FinFET에서 최소 단면적에 최대 접촉면적을 얻고, silicide보다 전위장벽이 낮은 metal contact으로 Schottky junction을 형성할 수 있도록 fin 측면에 trench를 형성하고 이를 금속으로 채워 형성하는 소스/드레인 접촉구조를 실험적으로 확인하고, 시뮬레이션을 통해 유용성을 검증하였다.
1차년도 에는 fin 측면에 narrow trench를 형성시킬 수 있는 공정기술을 개발하고, 소자 및 공정 시뮬레이션으로 평가하였다. 트렌치를 형성하기 위한 첫 단계는 3차원 구조의 fin에 실리
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