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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 |
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연구책임자 | 최양규 |
참여연구자 | 류승완 , 한진우 , 김주현 , 김청진 , 김성호 , 최성진 , 안재혁 , 권순규 , 문동일 , 이진성 , 최경용 , 설명록 , Duarte Juan P. , Baek David J. , 김문석 , 고승원 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-06 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300019787 |
과제고유번호 | 1345144879 |
DB 구축일자 | 2013-09-14 |
키워드 | 융합 메모리,3차원 소자,다기능 메모리,비휘발성 메모리,커패시터 없는 디램,간섭현상 제거Fusion memory,3-dimensional FET,Multi-functional memory,Non-volatile memory,1T-DRAM,Interference-free |
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
1. 연구개발의 내용
- 1차년도 : Flash 메모리와 1T-DRAM의 융합메모리 소자, 공정, 평가 기술 개발
· 전하저장소로서 Oxide/Nitride/Oxide 층 기반의 비휘발성 메모리 특성 확보 및 최적화
· p+ 게이트 구조와 GIDL 전류 동작방식을 기반으로 하여 향상된 1T-DRAM 특성을 갖는 융합 메모리 기반 기술 개발
· 기생 BJT 현상을 이용한 1T-DRAM 데이터 상태 판독기술 개발
· 소자 시뮬레이션을 통한 소자구조 최적화, 단위공정 기술 및
Ⅲ. Contents and ranges of research and development
1. Contents of research and development
- 1st stage: Development of device, fabrication, and evaluating technique of fusion memory device by unifying Flash memory and capacitorless 1T-DRAM.
· Non-volatile memory refinement and optimization
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