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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국세라믹기술원 |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2009-12 |
과제시작연도 | 2008 |
주관부처 | 지식경제부 Ministry of Knowledge Economy |
등록번호 | TRKO201300023957 |
과제고유번호 | 1415094922 |
사업명 | 에너지자원기술개발 |
DB 구축일자 | 2013-09-14 |
키워드 | SiC 나노분말.전구체.SiC 단결정.SiC 반도체.SiC nano powder.Precursor.SiC single crystal.SiC semiconductor. |
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
본 연구 과제를 통하여 SiC 단결정 제조에 사용이 가능한 고순도 SiC 나노 분말을 유·무기 복합 SiC 전구체를 제조 하고 열처리공정을 통하여 SiC 나노 분말로 제조 하는 방법을 개발하고자 한다. 주요 연구개발 내용 및 범위는 다음과 같다.
- Triphenylmethylsilane 전구체를 이용한 SiC 나노 분말 제조
- Dimethyldichlorosilane 전구체를 이용한 SiC 나노 분말 제조
- Sol-Gel 전구체를 이용한 SiC 나노 분말 제조
- SiC
SiC powder can be produced generally through the Acheson process and it is required long carbothermic reaction time of SO2 with carbon powder around 2200℃-2400℃. Due to the high reaction temperature and long reaction times of the process,the powders produced have a large particle size and
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