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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국기초과학지원연구원 Korea Basic Science Institute |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-08 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201300035699 |
DB 구축일자 | 2013-12-21 |
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
본 연구에서는 Cu배선의 확산방지 특성을 가지면서도 Seed Layer로써의 역할을 할 수 있는 박막을 형성하고자 하였다. Ru는 Cu배선과 좋은 접합특성을 가지며, Cu의 Direct plating이 가능한 장점이 있다. 하지만 Columnar구조를 가지는 문제로 확산방지막 특성이 급격히 저하되는 문제가 있다. 우리는 Ru의 Columnar구조를 나노결정립 구조로 변경시켜 확산방지막 특성을 개선하고자 하였으며, Ru의 장점인 Direct plating 특성과 Seed layer로써의 장점을 활
The downscaling of semiconductor confronts the metallization technology with a large number of challenges. Among those is an engineering of copper interconnect with low resistivity. The resistivity of copper wire increases due to the size effect on the resistivity of the metal film. This problem can
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