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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국광기술원 Korea Photonics Technology Institute |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-07 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
과제관리전문기관 | 중소기업기술정보진흥원 Korea Technology & Information Promotion Agency for SMEs |
등록번호 | TRKO201400004346 |
과제고유번호 | 1425070250 |
사업명 | 첨단장비 활용 기술개발사업 |
DB 구축일자 | 2014-05-10 |
키워드 | 아연확산.유기금속화학증착법.애벌런치.광다이오드.캐리어농도. |
□ 개발목표
계획
- 1차년도 : 2.5G급 InGaAsP APD의 설계 도면 및 핵심 단위공정 조건 등 기술 확보
- 2차년도 : 2.5G급 InGaAsP APD의 제작 및 특성 평가 후 개발 목표치와 비교
실적
1, 2차년도 목표에 대하여 성공적으로 완수하였음
□ 정량적 목표항목 및 달성도
1. Zn 확산 공정에 의한 p-InP 캐리어 농도 7×1017 cm-3/ 2. Responsivity ≥ 7 A/W (@ M=10)/ 3. Capacitance ≤
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