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NTIS 바로가기주관연구기관 | 인하대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 최리노 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-11 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201400008147 |
과제고유번호 | 1345176175 |
사업명 | 기본연구지원사업(유형I) |
DB 구축일자 | 2014-06-07 |
■ 시험 소자 제작
-Poly-Si 채널의 thin film transistor (TFT)를 제작하였다. 특히 charge pumping(CP) 측정을 위해 body 단자가 poly-Si 채널과 연결되었다. SiO2유전막의 두께는 8 nm 이며 sample을 grain size에 따라 다른 채널 두께를 갖는 소자를 제작하였다.
■ Poly-Si 소자 기본 특성 연구
- Large grain size 소자가 small grain size 소자 대비 좋은 S.S 값과 더 높은 ID,max
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