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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국나노기술원 Korea Advanced Nano Fab Center |
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보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-09 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201400028542 |
과제고유번호 | 1711001806 |
사업명 | 나노·소재기술개발 |
DB 구축일자 | 2014-11-22 |
키워드 | 화합물반도체.질화물반도체.3족-5족 반도체.단결정성장.전력소자.트랜지스터.Compound semiconductor.III-N semiconductor.III-V semiconductor.epitaxy.power device.transistor. |
본 과제를 통하여 국내의 화합물반도체 전문팹으로 화합물반도체 소자의 제조 기반을 국내의 기업, 대학, 및 연구기관에 제공하기 위하여 GaN 전자소자 및 GaAs기반의 소자 제조의 선행공정 플랫폼 기술을 개발하기 위하여, GaN 및 GaAs 에피성장 공정, GaN 소자의 전극 형성공정 및 이종wafer 본딩 공정을 개발하였다. GaN 기반의 나노전자/나노광전 소자기술 확립을 위하여 ELOG (epitaxy Lateral Over Growth) 방식을 적용하여 사파이어 기판상에 고품위의 GaN 에피성장 공정을 확립하였으며, GaN 전력
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