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NTIS 바로가기주관연구기관 | 인천대학교 University Of Incheon |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-09 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201400028577 |
과제고유번호 | 9991000471 |
사업명 | 일반연구자지원(교육부) |
DB 구축일자 | 2014-11-22 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201400028577 |
본 연구의 최종 목표는 bottom-up 방식의 nanobridge 기술로 반경 30-50nm, 게이트 길이가 1um이상, ION/IOFF>106인 junctionless SNWFET 제작하는 것과 top-down 방식으로 제작된 junctionless MuGFET 소자의 전기적 특성 측정 분석 및 소자 응용에 관한 것이다.
■ Nanobridge 기술로 Si 나노와이어 성장 및 junctionless SNWFET 소자 제작
- UC Davis의 M. Saif 교수와 공동으로 bottom -up 기술로
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