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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 산학협력단 Seoul National University |
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연구책임자 | 박병국 |
참여연구자 | 이현유 , 김정우 , 정종완 , 손현철 , 김필종 , 최정혜 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2015-03 |
과제시작연도 | 2014 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
과제관리전문기관 | 한국산업기술평가관리원 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO201600018002 |
과제고유번호 | 1711017601 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 차세대 memory.비휘발성.3D memory.vertical flash memory.stacked 3D memory. |
□ 최종목표
- 3D 적층 비휘발성 memory 기반 기술 개발
- 3D 적층형 단결정 Si 또는 SiGe 수직 channel 구조의 비휘발성
memory 기반기술을 개발, 3D 적층 전하저장형 memory 소자 설계
- 핵심 소재 공정 기술 개발
금속 산화물 반도체를 이용한 flash channel 소재 개발
금속 산화물 반도체를 이용한 flash memory 소자의 동작
(program, erase, read) 확보
- 적층형 비휘발성 memory에 적합한 주변회로기술 개발
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