초록 ▼

1. 제 1차년도 사업 목표 및 연구결과
1) 사업 목표 : 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화물 박막 증착 연구
2) 연구 결과
가. 3DMAS, TIPAS, TSA 전구체를 이용한 실리콘 질화물 원자층 증착법 실험
나. TSA를 이용한 실리콘 질화물 원자층 증착법 공정 조건 확립
metering valve와 cooling jacket설치 (12 ℃)
ALD process window (150~350 ℃)

2. 제 2차년도 사업 목표 및 연구 결과
1) 사업 목표 : TSA를 이

1. 제 1차년도 사업 목표 및 연구결과
1) 사업 목표 : 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화물 박막 증착 연구
2) 연구 결과
가. 3DMAS, TIPAS, TSA 전구체를 이용한 실리콘 질화물 원자층 증착법 실험
나. TSA를 이용한 실리콘 질화물 원자층 증착법 공정 조건 확립
metering valve와 cooling jacket설치 (12 ℃)
ALD process window (150~350 ℃)

2. 제 2차년도 사업 목표 및 연구 결과
1) 사업 목표 : TSA를 이용한 실리콘 질화물 박막의 특성 분석
2) 연구 결과
가. 물리적, 화학적 특성 분석 : AES, XPS, SIMS, RBS-ERD, UV-SE 수소 농도 13 %, 광학적 밴드갭 5.3 eV
나. MANOS, MNS 소자 제작 및 전기적 특성 분석 : I-V, C-V characteristics 누설전류, 항복전압, flatband voltage shift, Hysteresis

Abstract ▼

Ⅳ. Results
1. 1^st year results
- Study of silicon nitride ALD using 3DMAS
- Study of silicon nitride ALD using TIPAS
- Study of silicon nitride ALD using TSA

2. 2^nd year results
- Development of silicon nitride ALD using TSA
- Silicon nitride thin film

Ⅳ. Results
1. 1^st year results
- Study of silicon nitride ALD using 3DMAS
- Study of silicon nitride ALD using TIPAS
- Study of silicon nitride ALD using TSA

2. 2^nd year results
- Development of silicon nitride ALD using TSA
- Silicon nitride thin film property analysis
- MANOS, MNS device fabrication

목차 Contents

• 표 지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요 약 문 ... 4
• SUMMARY ... 6
• CONTENTS ... 8
• 목 차 ... 9
• 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 10
• 제 1 절 연구개발 배경 및 필요성 ... 10
• 제 2 절 연구개발 목표 및 내용 ... 14
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 15
• 제 1 절 국내 기술개발 현황 ... 15
• 제 2 절 국외 기술개발 현황 ... 15
• 제 3 절 국내·외 기술개발 현황에서 차지하는 위치 ... 16
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 17
• 제 1 절 1차년도 연구개발수행 내용 및 결과 ... 17
• 제 2 절 2차년도 연구개발수행 내용 및 결과 ... 24
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 41
• 제 1절 연도별 연구개발 달성도 ... 41
• 제 2절 관련 분야에의 기여도 ... 45
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 47
• 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 48
• 제 7 장 참고문헌 ... 49
• 부록 1. 국제 교류보고서 ... 50
• 부록 2. 공동 연구 논문 ... 59
• 부록 3. 성과 ... 60
• 끝페이지 ... 63