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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광운대학교 산학협력단 Kwangwoon University |
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보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-06 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 교육과학기술부 Ministry of Education and Science Technology(MEST) |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201500004288 |
과제고유번호 | 1711001174 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
DB 구축일자 | 2015-05-30 |
키워드 | 탄화규소.중성자조사.중성자검출기.Silicon carbide.Neutron radiation.Neutron detector. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201500004288 |
차세대 반도체 산업에서 각광을 받고 있는 Silicon Carbide (SiC)는 우주, 항공, neutron-detector 응용을 위해서는 중성자 조사가 소자 신뢰성에 미치는 영향을 연구하고, 이해하는 것이 필수적이다. 본 연구에서는 SiC 소재를 이용한 Schottky Diode, MOSCAP 소자 최적화 시뮬레이션을 수행하고 이에 기반하여 소자를 제작하고, 소자에 중성자 조사가 미치는 영향을 분석하였다. 600V급 항복전압을 가지도록 설계된 SiC Schottky Diode에 중성자를 조사에 이후 전기적 특성이 변하여 유효장
Ⅳ. Research-development results
Pre- and post neutron radiation effect for SiC Schottky diodes and SiC MOSCAPs are characterized. The RMS roughness of SiC Schottky diodes increase. Consequently, we confirmed increasing effective barrier height and decreasing current density. Threshold voltage inc
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