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연합인증

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고전압, 고전류밀도 SiC기반 차세대 전력소자 개발 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전기연구원
Korea Electrotechnology Research Institute
연구책임자 방욱
참여연구자 강인호 , 김형우 , 문정현 , 나문경 , 석오균 , 김상철 , 김남균 , 정현진 , 김영조 , 구상모 , 하민우
보고서유형1단계보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2020-02
과제시작연도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000007943
과제고유번호 1711101304
사업명 한국전기연구원연구운영비지원(R&D)(주요사업비)
DB 구축일자 2020-07-29
키워드 탄화규소.모스펫.트렌치.다이오드.고전류밀도.SiC.MOSFET.trench.diode.high current density.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO202000007943

초록

1차년도 :
- 고전류밀도 소자 셀 설계 및 단위공정 최적화연구
- SiC에 적합한 trench 공정 개발 (2차년도 일괄공정화)

2차년도 :
- SiC trench MOSFET 샘플 제작후 문제점 파악.
- 국내 생산기술로 100A급 대전류 소자제작 성공 (SiC 대전류소자 구현의 한계를 국내 기술로 극복 의미, 국내 SiC기반 전력반도체 기술이 선진국과 동등한 수준임을 의미)

3차년도 :
- 1.2kV/20A급 SiC trench MOSFET 시제품 제작(과제 주목표)
-

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 보고서 초록 ... 3
  • 요 약 문 ... 4
  • 목차 ... 5
  • 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 7
  • 1절 사업의 목적 ... 7
  • 2절 사업 추진배경 및 경과 ... 7
  • 1. 추진배경 ... 7
  • 2. 추진경과 ... 8
  • 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 10
  • 1절 국외기술 개발동향 ... 10
  • 2절 국내기술 개발동향 ... 14
  • 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 16
  • 1절 고전압 소자 설계 ... 16
  • 1. 고전압 소자 구현을 위한 에피구조 설계 ... 16
  • 2. 고전압 구조설계 ... 24
  • 2절 소자 제작 공정 ... 69
  • 1. 소자 레이아웃 및 TEG ... 69
  • 2. trench 형성 공정 개발 ... 77
  • 3. 이온주입공정 개발 ... 92
  • 4. 산화막 형성공정 개발 ... 100
  • 5. 오믹형성 공정 개발 ... 112
  • 6. trench MOSFET 일괄공정개발 ... 124
  • 3절 제작된 소자의 특성 분석 ... 131
  • 1. 대전류 SiC diode 소자 ... 131
  • 2. trench형 SiC MOSFET 소자 ... 136
  • 3. 기타 분석결과 및 논의 ... 145
  • 제 4 장 목표달성도 및 결과 활용계획 ... 157
  • 끝페이지 ... 158

표/그림 (182)

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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